| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-25页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·B-C 化合物的研究概况 | 第10-15页 |
| ·碳化硼的研究 | 第10-11页 |
| ·BC_3 化合物的研究 | 第11-15页 |
| ·B-C 化合物的合成方法 | 第15-19页 |
| ·化学气相沉积法（CVD） | 第15-16页 |
| ·物理气相沉积法（PVD） | 第16-18页 |
| ·高温高压法（HTHP） | 第18页 |
| ·化学合成法 | 第18-19页 |
| ·B-C 化合物的物理性能 | 第19-22页 |
| ·电学性能 | 第19-20页 |
| ·力学性能 | 第20-21页 |
| ·光学性能 | 第21-22页 |
| ·B-C 化合物的应用前景 | 第22-23页 |
| ·本论文选题意义和研究目的 | 第23-25页 |
| 第2章 MWECR CVD 沉积系统 | 第25-37页 |
| ·等离子体概述 | 第25-28页 |
| ·等离子体基本概念 | 第25-27页 |
| ·等离子体的存在尺度 | 第27-28页 |
| ·微波电子回旋共振（MWECR）等离子体 | 第28-33页 |
| ·MWECR 原理 | 第28-30页 |
| ·MWECR 等离子体的能量吸收 | 第30-32页 |
| ·MWECR 等离子体特点 | 第32-33页 |
| ·MWECR CVD 沉积系统介绍 | 第33-35页 |
| ·本章小结 | 第35-37页 |
| 第3章 MWECR CVD 法制备B-C 薄膜的实验方法 | 第37-44页 |
| ·概论 | 第37页 |
| ·源气体的选取 | 第37-39页 |
| ·乙硼烷（B_2H_6） | 第37-38页 |
| ·乙烯（C_2H_4） | 第38-39页 |
| ·基片的处理 | 第39-40页 |
| ·B-C 薄膜的制备过程 | 第40页 |
| ·实验参数 | 第40-41页 |
| ·样品的表征方法 | 第41-43页 |
| ·X 射线能谱分析（EDS） | 第41页 |
| ·台阶仪测试分析 | 第41页 |
| ·X 射线光电子能谱分析（XPS） | 第41-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第4章 系统参数对B-C 薄膜的影响 | 第44-65页 |
| ·源气体C_2H_4/B_2H_6 摩尔比对B-C 膜成分的影响 | 第44-46页 |
| ·工作气压对B-C 膜生长的影响 | 第46-49页 |
| ·工作气压对薄膜成分的影响 | 第47页 |
| ·工作气压对沉积速率的影响 | 第47-49页 |
| ·基片温度对B-C 膜生长的影响 | 第49-57页 |
| ·基片温度对沉积速率的影响 | 第49-51页 |
| ·基片温度对膜成分及原子成键的影响 | 第51-57页 |
| ·微波功率对B-C 膜生长的影响 | 第57-64页 |
| ·微波功率对沉积速率的影响 | 第57-58页 |
| ·微波功率对膜成分及原子成键的影响 | 第58-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 结论 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 作者简介 | 第73页 |