摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4-5页 |
1 绪论 | 第8-16页 |
1.1 研究背景 | 第8页 |
1.2 晶硅异质结太阳电池 | 第8-10页 |
1.3 多结叠层太阳电池 | 第10-11页 |
1.4 ZnSiP_2材料的研究现状 | 第11-13页 |
1.4.1 ZnSiP_2的材料制备 | 第11-13页 |
1.4.2 ZnSiP_2的理论研究 | 第13页 |
1.5 本论文的研究目的和章节安排 | 第13-16页 |
2 研究理论及计算方法 | 第16-24页 |
2.1 第一性原理计算简介 | 第16页 |
2.2 密度泛函理论 | 第16-22页 |
2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第17-18页 |
2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第18-19页 |
2.2.3 交换关联泛函 | 第19-22页 |
2.2.4 赝势理论 | 第22页 |
2.3 第一性原理计算软件VASP简介 | 第22-23页 |
2.4 本章小结 | 第23-24页 |
3 ZnSiP_2的电子结构特性研究 | 第24-34页 |
3.1 研究模型 | 第24-25页 |
3.2 晶体结构优化 | 第25-26页 |
3.3 能带结构研究 | 第26-29页 |
3.4 电子亲和能计算 | 第29-32页 |
3.5 有效质量计算 | 第32-33页 |
3.6 本章小结 | 第33-34页 |
4 富Si的ZnSiP_2第一性原理研究 | 第34-54页 |
4.1 Zn_xSi_(2-x)P_2晶体结构与能带结构研究 | 第34-41页 |
4.1.1 建立Zn_xSi_(2-x)P_2研究模型 | 第34页 |
4.1.2 Zn_xSi_(2-x)P_2晶体结构与能带结构分析 | 第34-41页 |
4.2 ZnSi_(3-x)P_x晶体结构与能带结构研究 | 第41-46页 |
4.2.1 建立ZnSi_(3-x)P_x研究模型 | 第41页 |
4.2.2 ZnSi_(3-x)P_x晶体结构与能带结构分析 | 第41-46页 |
4.3 Zn/Si/P不同原子比时晶体结构与能带结构研究 | 第46-51页 |
4.3.1 建立研究模型 | 第46页 |
4.3.2 Zn/Si/P不同原子比时晶体结构与能带结构分析 | 第46-51页 |
4.4 形成能计算 | 第51-52页 |
4.5 本章小结 | 第52-54页 |
5 总结与展望 | 第54-56页 |
致谢 | 第56-58页 |
参考文献 | 第58-64页 |
攻读学位期间主要研究成果 | 第64页 |