| 中文摘要 | 第1-9页 |
| 英文摘要 | 第9-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-52页 |
| §1-1 红外光谱简介 | 第13-15页 |
| §1-1-1 红外光区的划分 | 第13页 |
| §1-1-2 红外光谱法的特点 | 第13-14页 |
| §1-1-3 产生红外吸收的条件 | 第14-15页 |
| §1-2 傅立叶变换红外光谱仪 | 第15-16页 |
| §1-2-1 傅立叶变换红外光谱仪简介 | 第15页 |
| §1-2-2 傅立叶变换红外光谱仪工作原理 | 第15-16页 |
| §1-2-3 傅立叶变换红外光谱仪的特点 | 第16页 |
| §1-3 表面增强红外吸收光谱 | 第16-20页 |
| §1-3-1 表面增强红外吸收光谱的发现 | 第16-17页 |
| §1-3-2 纳米结构表面的特殊红外光谱 | 第17-18页 |
| §1-3-3 表面增强红外吸收的增强机理 | 第18-20页 |
| §1-4 SEIRA活性基底的制备方法 | 第20-25页 |
| §1-4-1 SEIRAS样品的制备 | 第21-22页 |
| §1-4-2 SEIRA活性基底的制备方法 | 第22-25页 |
| §1-5 固/液界面的电化学原位红外光谱 | 第25-31页 |
| §1-5-1 金属表面的红外反射 | 第26-30页 |
| §1-5-2 电化学原位红外光谱的其它分类 | 第30-31页 |
| §1-6 SEIRAS与SERS在电化学领域的分工合作 | 第31-33页 |
| §1-7 SEIRAS的应用 | 第33-36页 |
| §1-8 原位红外光谱研究中常见的探针分子 | 第36-39页 |
| §1-8-1 CO为分子探针的原位红外光谱研究 | 第36-38页 |
| §1-8-2 SCN~-为分子探针的红外光谱研究 | 第38-39页 |
| §1-9 本论文的研究目的与设想 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-52页 |
| 第二章 实验技术及试剂 | 第52-60页 |
| §2-1 实验用的主要药品 | 第52页 |
| §2-1-1 分析纯试剂 | 第52页 |
| §2-1-2 红外窗片 | 第52页 |
| §2-1-3 玻璃器皿 | 第52页 |
| §2-2 实验中用到的表征技术 | 第52-57页 |
| §2-2-1 薄膜的结构及表征技术 | 第52-56页 |
| §2-2-2 电化学测量技术 | 第56-57页 |
| §2-3 内反射模式的电化学红外系统 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-60页 |
| 第三章 制备二维有序可控的SEIRA基底及可调控的金薄膜 | 第60-79页 |
| §3-1 金溶胶的合成和表征 | 第61-63页 |
| §3-1-1 金溶胶的合成方法 | 第61-62页 |
| §3-1-2 金溶胶的表征 | 第62-63页 |
| §3-2 二维有序可调控的表面增强红外吸收基底 | 第63-67页 |
| §3-2-1 二维有序可调控的SEIRA基底的制备 | 第63-64页 |
| §3-2-2 SEIRA活性金溶胶基底的形貌表征 | 第64页 |
| §3-2-3 SEIRA活性金溶胶基底的透射红外光谱 | 第64-67页 |
| §3-3 不同还原时间制备SEIRA可调控的金膜 | 第67-70页 |
| §3-4 金膜的性质及现场ATR-SEIRAS光谱 | 第70-72页 |
| §3-5 优化应用于ATR-SEIRAS金膜的制备条件 | 第72-75页 |
| 本章小节 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-79页 |
| 第四章 "种子生长法"制备具有SEIRA活性的银纳米膜 | 第79-111页 |
| §4-1 "种子生长法"化学镀银 | 第79-80页 |
| §4-2 硅基底上制备具有SEIRA活性的银纳米膜 | 第80-85页 |
| §4-2-1 硅上化学沉积银纳米膜的意义 | 第80-81页 |
| §4-2-2 银种及银纳米膜的制备 | 第81-83页 |
| §4-2-3 实验方案 | 第83页 |
| §4-2-4 银纳米溶胶的UV-Vis及TEM表征 | 第83-85页 |
| §4-3 SEIRA活性银种及纳米膜的性质表征 | 第85-94页 |
| §4-3-1 SEIRA活性银种基底的透射红外光谱 | 第85-87页 |
| §4-3-2 银种及银纳米膜的AFM表征 | 第87-89页 |
| §4-3-3 银纳米膜的性质表征 | 第89-94页 |
| §4-4 银膜电极上吸附物种的电化学原位SEIRAS光谱 | 第94-97页 |
| §4-5 表面增强因子的估算 | 第97-98页 |
| §4-6 SEIRAS技术用于吡啶吸附模型的研究 | 第98-102页 |
| §4-7 电化学退火对表面形貌及增强效果的影响 | 第102-105页 |
| §4-7-1 电化学退火对表面形貌的影响 | 第102-103页 |
| §4-7-2 电化学退火对SEIRAS的影响 | 第103-105页 |
| 本章小结 | 第105-106页 |
| 参考文献 | 第106-111页 |
| 第五章 镍电极ATR-SEIRAS的拓展与应用 | 第111-132页 |
| §5-1 SEIRAS活性镍膜的制备和表征 | 第111-115页 |
| §5-1-1 前言 | 第111-112页 |
| §5-1-2 镍膜的制备和表征 | 第112-115页 |
| §5-2 CO电氧化行为的ATR-SEIRAS研究 | 第115-122页 |
| §5-2-1 前言 | 第115-116页 |
| §5-2-2 电化学行为研究 | 第116-118页 |
| §5-2-3 Multi-Step-FTIR测量 | 第118-119页 |
| §5-2-4 时间分辨ATR-SEIRAS测量 | 第119-122页 |
| §5-3 吡啶在镍电极上吸附构型的研究 | 第122-126页 |
| 本章小结 | 第126-127页 |
| 参考文献 | 第127-132页 |
| 第六章 铁电极ATR-SEIRAS的拓展与应用 | 第132-156页 |
| §6-1 铁膜电极的制备与表征 | 第132-136页 |
| §6-1-1 铁膜电极的制备 | 第132页 |
| §6-1-2 铁膜的表征 | 第132-134页 |
| §6-1-3 铁膜电极的电化学行为研究 | 第134-136页 |
| §6-2 CO电氧化行为的ATR-SEIRAS研究 | 第136-143页 |
| §6-2-1 增强因子的估算 | 第137-138页 |
| §6-2-2 CO饱和吸附下的ATR-SEIRAS光谱 | 第138-139页 |
| §6-2-3 CO单吸附层的ATR-SEIRAS光谱 | 第139-143页 |
| §6-3 ATR-SEIRAS用于金属缓蚀腐蚀的研究 | 第143-150页 |
| §6-3-1 前言 | 第143-144页 |
| §6-3-2 传统电化学法研究缓蚀过程 | 第144-146页 |
| §6-3-3 ATR-SEIRAS用于金属缓蚀机理的研究 | 第146-150页 |
| §6-4 吡啶分子在铁电极上吸附模式的红外研究 | 第150-152页 |
| 本章小结 | 第152-153页 |
| 参考文献 | 第153-156页 |
| 第七章 钴电极上ATR-SEIRAS的初探 | 第156-170页 |
| §7-1 SEIRA活性钴膜的制备与表征 | 第156-160页 |
| §7-1-1 钴膜的制备 | 第156-157页 |
| §7-1-2 钴膜的表征 | 第157-159页 |
| §7-1-3 钴电极的电化学行为研究 | 第159-160页 |
| §7-2 CO电氧化行为的SEIRAS研究 | 第160-167页 |
| 本章小结 | 第167-168页 |
| 参考文献 | 第168-170页 |
| 第八章 "种子生长法"在含硅化合物表面沉积金属 | 第170-178页 |
| §8-1 毛细管内壁沉积连续金属层 | 第170-173页 |
| §8-2 在金属布线技术上的应用 | 第173-175页 |
| §8-3 光纤传感器端面的金属沉积 | 第175-177页 |
| 本章小结 | 第177页 |
| 参考文献 | 第177-178页 |
| 作者攻读博士学位期间发表与交流论文 | 第178-180页 |
| 致谢 | 第180-181页 |
