| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 前言 | 第8-9页 |
| 第一章 文献综述 | 第9-29页 |
| ·功率电子封装的发展概况 | 第9-17页 |
| ·芯片级互连技术举例 | 第11-17页 |
| ·芯片级互连技术总结 | 第17页 |
| ·烧结理论概况 | 第17-22页 |
| ·烧结机制 | 第18-19页 |
| ·烧结理论分析 | 第19-20页 |
| ·烧结驱动力 | 第20-22页 |
| ·微电子封装中低温烧结连接技术的研究现状 | 第22-26页 |
| ·加压烧结与纳米金属烧结——降低烧结温度的两种方法 | 第22-24页 |
| ·纳米颗粒烧结面临的问题 | 第24-26页 |
| ·本文研究意义及研究工作 | 第26-29页 |
| ·研究意义 | 第26-27页 |
| ·研究工作 | 第27-29页 |
| 第二章 试样制备以及试验设备和方法 | 第29-39页 |
| ·纳米银焊膏以及低温烧结纳米银焊膏连接试样 | 第29-32页 |
| ·纳米银焊膏 | 第29-30页 |
| ·连接试样的制备 | 第30-32页 |
| ·试验方法及试验设备 | 第32-39页 |
| ·烧结电阻炉 | 第33-34页 |
| ·微型拉扭疲劳试验机 | 第34-35页 |
| ·温度循环试验机 | 第35-36页 |
| ·动态力学分析仪(DMA Q800) | 第36-37页 |
| ·干燥箱 | 第37-38页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第38-39页 |
| 第三章 低温烧结纳米银粘接剪切疲劳 | 第39-46页 |
| ·剪切疲劳实验设计 | 第39-40页 |
| ·剪切疲劳实验结果与分析 | 第40-45页 |
| ·结论 | 第45-46页 |
| 第四章 纳米银低温烧结粘接面积对于粘接质量的影响 | 第46-54页 |
| ·研究粘接面积对于粘接质量的影响的意义 | 第46-47页 |
| ·强度测试 | 第47-48页 |
| ·结果与分析 | 第48-52页 |
| ·粘接面积对于粘接强度的影响 | 第48-49页 |
| ·粘接面积对于微观形貌的影响 | 第49-52页 |
| ·结论与讨论 | 第52-54页 |
| 第五章 温度循环载荷对于芯片粘接强度的影响 | 第54-66页 |
| ·试验准备及方案设计 | 第54-56页 |
| ·试验准备 | 第54-56页 |
| ·试验设计 | 第56页 |
| ·试验结果与分析 | 第56-63页 |
| ·温度循环载荷对于芯片粘接强度的影响 | 第56-57页 |
| ·温度循环载荷对于粘接断面微观形貌的影响 | 第57-63页 |
| ·可靠性及失效机理的讨论 | 第63-66页 |
| 第六章 低温烧结纳米银薄膜在DMA上的动态力学性能研究 | 第66-71页 |
| ·纳米银焊膏薄膜的制备 | 第66-69页 |
| ·纳米银焊膏薄膜在DMA上的动态力学性能测试 | 第69-70页 |
| ·纳米银焊膏薄膜的拉伸曲线 | 第69页 |
| ·单频、温度扫描下纳米银薄膜弹性模量的变化 | 第69-70页 |
| ·结论 | 第70-71页 |
| 第七章 结论 | 第71-73页 |
| ·本文的主要工作及结论 | 第71-72页 |
| ·下一步工作建议及展望 | 第72-73页 |
| 主要符号说明 | 第73-74页 |
| 中英文缩略语 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-81页 |
| 作者简介 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82页 |