| 学位论文原创性声明和学位论文版权使用授权书 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-29页 |
| ·多孔硅概述 | 第10-12页 |
| ·单晶硅 | 第10-11页 |
| ·多孔硅 | 第11-12页 |
| ·多孔硅的制备方法 | 第12-14页 |
| ·阳极腐蚀法 | 第12-13页 |
| ·染色腐蚀法 | 第13页 |
| ·火花放电法 | 第13-14页 |
| ·水热腐蚀法 | 第14页 |
| ·多孔硅的形成机理 | 第14-18页 |
| ·Beale耗尽模型 | 第15页 |
| ·扩散限制模型 | 第15页 |
| ·量子限制模型 | 第15-18页 |
| ·多孔硅的光致发光 | 第18-22页 |
| ·多孔硅的光致发光特性 | 第18-19页 |
| ·多孔硅的光致发光机理 | 第19-22页 |
| ·多孔硅的应用研究和发展前景 | 第22-24页 |
| ·模板法硅纳米线的性能及应用 | 第24-27页 |
| ·硅纳米线的性能 | 第24-26页 |
| ·硅纳米线的应用 | 第26-27页 |
| ·课题研究的背景、目的及意义 | 第27-29页 |
| 第2章 试验方法 | 第29-38页 |
| ·前言 | 第29页 |
| ·试验制备 | 第29-33页 |
| ·无酸水热法制备多孔硅 | 第29-31页 |
| ·电化学阳极氧化法制备多孔硅 | 第31-33页 |
| ·用无酸水热法多孔硅作为模板制备硅纳米线 | 第33页 |
| ·多孔硅的表征 | 第33-38页 |
| ·扫描电镜 | 第34页 |
| ·透射电镜 | 第34-35页 |
| ·拉曼光谱 | 第35-37页 |
| ·光致发光谱 | 第37-38页 |
| 第3章 工艺参数对无酸水热法多孔硅形貌及发光性能的研究 | 第38-62页 |
| ·前言 | 第38页 |
| ·工艺参数对多孔硅形貌的影响 | 第38-47页 |
| ·反应温度对多孔硅形貌的影响 | 第38-41页 |
| ·试验原料对多孔硅形貌的影响 | 第41-43页 |
| ·反应压强对多孔硅形貌的影响 | 第43-46页 |
| ·无酸水热法多孔硅与电化学阳极氧化法多孔硅的形貌比较 | 第46-47页 |
| ·小结 | 第47页 |
| ·工艺参数对多孔硅拉曼光谱的影响 | 第47-55页 |
| ·反应温度对多孔硅拉曼光谱的影响 | 第48-50页 |
| ·试验原料对多孔硅拉曼光谱的影响 | 第50页 |
| ·反应压强对多孔硅拉曼光谱的影响 | 第50-54页 |
| ·无酸水热法多孔硅与电化学阳极氧化法多孔硅的拉曼光谱比较 | 第54-55页 |
| ·小结 | 第55页 |
| ·工艺参数对多孔硅光致发光谱的影响 | 第55-62页 |
| ·反应温度对多孔硅光致发光谱的影响 | 第56-57页 |
| ·试验原料对多孔硅光致发光谱的影响 | 第57-59页 |
| ·反应压强对多孔硅光致发光谱的影响 | 第59-60页 |
| ·无酸水热法多孔硅与电化学阳极氧化法多孔硅的光致发光比较 | 第60-61页 |
| ·小结 | 第61-62页 |
| 第4章 用无酸水热法多孔硅作为模板制备硅纳米线 | 第62-70页 |
| ·前言 | 第62页 |
| ·试验结果 | 第62-66页 |
| ·SEM检测 | 第62-64页 |
| ·TEM检测 | 第64-65页 |
| ·PL检测 | 第65-66页 |
| ·生长机理分析 | 第66-68页 |
| ·小结 | 第68-70页 |
| 结论 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-78页 |
| 附录A (攻读学位期间所发表的学术论文目录) | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
