| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-28页 |
| ·太阳电池的基本原理 | 第10-15页 |
| ·太阳光谱 | 第10-11页 |
| ·半导体的光吸收及复合机制 | 第11-14页 |
| ·太阳电池的输出参数 | 第14-15页 |
| ·太阳电池的研究进展 | 第15-18页 |
| ·太阳电池的分类 | 第15页 |
| ·晶体硅太阳电池的研究进展 | 第15-16页 |
| ·硅基薄膜太阳电池研究进展 | 第16-18页 |
| ·AMPS 的原理和算法依据 | 第18-28页 |
| ·AMPS 电学模型方程 | 第18-20页 |
| ·AMPS 软件的使用方法 | 第20-28页 |
| 第二章 (p~+)a-SiC:H/buffer/(i)a-Si:H/(n~+)a-Si:H 单结太阳电池的模拟 | 第28-40页 |
| ·a-Si:H 薄膜的基本特征 | 第28-29页 |
| ·a-Si:H 单结(p-i-n)太阳电池 | 第29-39页 |
| ·p-i-n 太阳电池的结构及相关参数的设置 | 第30-32页 |
| ·结果与讨论 | 第32-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 纳米硅p-i-n 型太阳电池的模拟 | 第40-47页 |
| ·nc-Si:H 薄膜的结构特征 | 第40页 |
| ·物理模型及模拟方法 | 第40-42页 |
| ·器件结构 | 第40-41页 |
| ·材料理化参数 | 第41-42页 |
| ·数据来源及分析 | 第42-43页 |
| ·纳米硅的光吸收系数 | 第42页 |
| ·对实验数据的数学拟合 | 第42-43页 |
| ·结果与讨论 | 第43-46页 |
| ·纳米硅本征层厚度对电池性能的影响 | 第43-44页 |
| ·电池性能与i-层中晶粒尺寸的关系 | 第44-45页 |
| ·窗口层掺杂浓度对电池性能的影响 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 纳米硅HIT 太阳电池的模拟 | 第47-57页 |
| ·HIT 太阳电池的结构 | 第48-49页 |
| ·模拟结果与讨论 | 第49-56页 |
| ·(p~+)nc-Si:H 发射极掺杂浓度对电池性能的影响 | 第49-52页 |
| ·(p~+)nc-Si:H 发射极厚度对电池性能的影响 | 第52-53页 |
| ·背场对电池性能的影响 | 第53-54页 |
| ·界面态对电池性能的影响 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 总结与展望 | 第57-59页 |
| ·总结 | 第57-58页 |
| ·展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第65页 |
