高锆钛比PZT薄膜的Sol-Gel方法制备和铁电性能的研究
摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-8页 |
第一章 绪论 | 第8-12页 |
·引言 | 第8页 |
·晶体的铁电性和热释电性的研究进展 | 第8-10页 |
·铁电和热释电材料的研究状况及发展前景 | 第10-11页 |
·本文主要的研究内容 | 第11-12页 |
第二章 晶体的铁电性和热释电性 | 第12-20页 |
·晶体的铁电性 | 第12-13页 |
·晶体的热释电性 | 第13-14页 |
·热释电探测器对材料的要求 | 第14-19页 |
·热释电系数和电滞回线的测量 | 第19-20页 |
·电滞回线的测量 | 第19页 |
·热释电系数的测量 | 第19-20页 |
第三章 薄膜 | 第20-24页 |
·薄膜研究的历史 | 第20页 |
·薄膜的制备技术 | 第20页 |
·薄膜的非理想情况和缺陷 | 第20-24页 |
·薄膜的非理想情况 | 第21-22页 |
·薄膜的缺陷 | 第22-24页 |
第四章 锆钛酸铅(PZT) | 第24-28页 |
·锆钛酸铅(PZT)的发展状况 | 第24页 |
·PZT 的结构性能和相图 | 第24-28页 |
·PZT 的结构性能 | 第24-25页 |
·PZT 的相图 | 第25-28页 |
第五章 PZT 薄膜的制备及其实验研究 | 第28-41页 |
·薄膜的制备 | 第28-36页 |
·高锆钛比PZT前驱溶液的配制 | 第28-32页 |
·基片的净化和匀胶条件 | 第32-33页 |
·镍酸镧(LNO)底电极的制备 | 第33-34页 |
·薄膜的制备过程 | 第34-36页 |
·实验结果及其分析 | 第36-41页 |
·台阶仪测量薄膜厚度 | 第36页 |
·显微镜观测表面形貌 | 第36-39页 |
·薄膜的电滞回线测量 | 第39-41页 |
第六章 总结 | 第41-42页 |
致谢 | 第42-43页 |
参考文献 | 第43-45页 |
在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第45页 |