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高锆钛比PZT薄膜的Sol-Gel方法制备和铁电性能的研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-8页
第一章 绪论第8-12页
   ·引言第8页
   ·晶体的铁电性和热释电性的研究进展第8-10页
   ·铁电和热释电材料的研究状况及发展前景第10-11页
   ·本文主要的研究内容第11-12页
第二章 晶体的铁电性和热释电性第12-20页
   ·晶体的铁电性第12-13页
   ·晶体的热释电性第13-14页
   ·热释电探测器对材料的要求第14-19页
   ·热释电系数和电滞回线的测量第19-20页
     ·电滞回线的测量第19页
     ·热释电系数的测量第19-20页
第三章 薄膜第20-24页
   ·薄膜研究的历史第20页
   ·薄膜的制备技术第20页
   ·薄膜的非理想情况和缺陷第20-24页
     ·薄膜的非理想情况第21-22页
     ·薄膜的缺陷第22-24页
第四章 锆钛酸铅(PZT)第24-28页
   ·锆钛酸铅(PZT)的发展状况第24页
   ·PZT 的结构性能和相图第24-28页
     ·PZT 的结构性能第24-25页
     ·PZT 的相图第25-28页
第五章 PZT 薄膜的制备及其实验研究第28-41页
   ·薄膜的制备第28-36页
     ·高锆钛比PZT前驱溶液的配制第28-32页
     ·基片的净化和匀胶条件第32-33页
     ·镍酸镧(LNO)底电极的制备第33-34页
     ·薄膜的制备过程第34-36页
   ·实验结果及其分析第36-41页
     ·台阶仪测量薄膜厚度第36页
     ·显微镜观测表面形貌第36-39页
     ·薄膜的电滞回线测量第39-41页
第六章 总结第41-42页
致谢第42-43页
参考文献第43-45页
在学期间的研究成果及发表的学术论文第45页

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