| 第一章 绪论 | 第1-19页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·硅基共平面波导在微波／射频领域的应用前景 | 第11-14页 |
| ·硅基共平面波导在单片微波集成电路中的应用 | 第11-12页 |
| ·硅基共平面波导在微机械加工技术中的应用 | 第12页 |
| ·微波集成电路中常用的传输线种类 | 第12-14页 |
| ·国内外研究现状 | 第14-16页 |
| ·国内外微波集成电路的设计和研究 | 第14-15页 |
| ·当前微波集成电路中衬底材料的选择 | 第15-16页 |
| ·本文的立题意义与内容 | 第16-19页 |
| ·本文的立题意义 | 第16-17页 |
| ·本文的立题内容 | 第17-19页 |
| 第二章 微波传输线的理论基础 | 第19-33页 |
| ·传输线的基本概念 | 第19-24页 |
| ·传输线的种类及应用 | 第19-20页 |
| ·分布参数概念 | 第20-21页 |
| ·特征阻抗和传输常数 | 第21-22页 |
| ·传输线的阻抗匹配 | 第22-24页 |
| ·微波网络基础 | 第24-27页 |
| ·微波网络理论概念 | 第24-25页 |
| ·二端口网络基础 | 第25-26页 |
| ·网络损耗的定义 | 第26-27页 |
| ·共平面波导的结构和传输参数 | 第27-33页 |
| ·共平面波导的结构 | 第27-29页 |
| ·共平面波导的特性阻抗和相速 | 第29-30页 |
| ·共平面波导的损耗 | 第30-31页 |
| ·共平面波导的工艺制作 | 第31-33页 |
| 第三章 低阻硅基共平面波导传输线的制备与测试 | 第33-41页 |
| ·低阻硅基共平面波导传输线的选择设计 | 第33-35页 |
| ·传输损耗的定义 | 第33页 |
| ·导体和衬底选材 | 第33-35页 |
| ·传统低阻硅衬底上共平面波导的损耗 | 第35页 |
| ·低阻硅基聚酞亚胺厚膜上的共平面波导 | 第35-38页 |
| ·聚酰亚胺衬底与其他衬底传输损耗的比较 | 第35-36页 |
| ·不同厚度聚酰亚胺上传输损耗比较 | 第36-37页 |
| ·聚酰亚胺刻蚀前后传输损耗比较 | 第37-38页 |
| ·基于多孔硅衬底的CPW的制备 | 第38-39页 |
| ·V型槽MEMS共平面波导 | 第39-41页 |
| 第四章：高阻硅基共平面波导 | 第41-58页 |
| ·不同尺寸的共平面波导结构 | 第41-42页 |
| ·不同衬底结构的工艺制作过程 | 第42-43页 |
| ·共平面波导CPW的在片测试系统 | 第43-44页 |
| ·CPW的高频仿真系统和仿真结果 | 第44-48页 |
| ·高频仿真系统EDA介绍 | 第44-45页 |
| ·典型微波EDA仿真软件Ansoft HFSS | 第45-48页 |
| ·Si／SiO_2系统电荷对共平面波导传输损耗的影响 | 第48-58页 |
| ·Si-SiO_2系统电荷种类 | 第48-50页 |
| ·Si-SiO_2系统电荷的测量及分析 | 第50-51页 |
| ·Si-SiO_2系统电荷对共平面波导(CPW)损耗的影响 | 第51-55页 |
| ·外加直流偏压时,Si-SiO_2系统电荷对共平面波导(CPW)损耗的影响 | 第55-58页 |
| 第五章 基于SOI衬底的共平面波导传输线 | 第58-63页 |
| ·SOI技术 | 第58-60页 |
| ·SOI相对于体硅技术的优越性 | 第58-59页 |
| ·SOI市场前景 | 第59页 |
| ·SOI制备技术 | 第59-60页 |
| ·基于SOI衬底的CPW传输损耗的研究 | 第60-61页 |
| ·思考 | 第61-63页 |
| 第六章 共平面波导CPW衬底模型的研究 | 第63-69页 |
| ·CPW衬底模型结构以及等效RLCG的π模型 | 第63-65页 |
| ·电磁场能量的分析与计算 | 第65-66页 |
| ·衬底损耗的理论分析与实验结果的验证 | 第66-69页 |
| 结论及展望 | 第69-71页 |
| 一、结论 | 第69-70页 |
| 二、展望 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第76页 |
