| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 前言 | 第8-10页 |
| 第二章 SiGe／Si材料、器件及应用 | 第10-34页 |
| ·应变与临界厚度 | 第10-11页 |
| ·应变超晶格 | 第11-14页 |
| ·应变超晶格和临界厚度 | 第11-13页 |
| ·Si_(1-x)Ge_x／Si超晶格的应力及应变驰豫 | 第13-14页 |
| ·SiGe／Si的能带结构和相关性能 | 第14-20页 |
| ·SiGe的能带结构 | 第14-18页 |
| ·迁移率 | 第18-20页 |
| ·主要的SiGe器件及应用 | 第20-31页 |
| ·SiGe基区HBT | 第20-23页 |
| ·SiGe MODFET和MODMOS | 第23-25页 |
| ·Si_(1-x)Ge_x／Si异质结光电器件 | 第25-28页 |
| ·SiGe器件在无线通信中的应用 | 第28-31页 |
| ·多晶SiGe薄膜 | 第31-34页 |
| ·概述 | 第31-32页 |
| ·多晶SiGe薄膜的应用 | 第32-34页 |
| 第三章 实验设备与工艺 | 第34-41页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·超高真空生长SiGe／Si材料的优点 | 第34-35页 |
| ·UHV／CVD-Ⅱ系统 | 第35-38页 |
| ·真空系统及辅助装置 | 第36-37页 |
| ·气路系统 | 第37-38页 |
| ·计算机控制系统 | 第38页 |
| ·SiGe薄膜外延工艺 | 第38-41页 |
| 第四章 SiGe外延层及肖特基结Ⅰ-Ⅴ特性 | 第41-51页 |
| ·引言 | 第41-42页 |
| ·单层SiGe薄膜外延生长 | 第42-43页 |
| ·SiGe／Si多层薄膜外延生长 | 第43-47页 |
| ·SiGe／Si单层及多层薄膜肖特基结Ⅰ-Ⅴ特性 | 第47-49页 |
| ·小结 | 第49-51页 |
| 第五章 多晶SiGe薄膜及其电学性能 | 第51-69页 |
| ·引言 | 第51-52页 |
| ·超高真空化学气相沉积生长多晶锗硅薄膜 | 第52-55页 |
| ·实验 | 第52-53页 |
| ·结果与分析 | 第53-55页 |
| ·金属诱导与超高真空相结合生长多晶锗硅薄 | 第55-64页 |
| ·样品的制备 | 第55页 |
| ·镍对多晶锗硅薄膜生长的影响 | 第55-61页 |
| ·薄膜元素分布与Ni诱导生长 | 第61-64页 |
| ·多晶锗硅薄膜的电学性能 | 第64-67页 |
| ·霍尔迁移率 | 第64-65页 |
| ·Al／Poly-SiGe肖特基结Ⅰ-Ⅴ特性 | 第65-67页 |
| ·小结 | 第67-69页 |
| 第六章 总结 | 第69-71页 |
| ·SiGe外延层 | 第69页 |
| ·多晶SiGe薄膜 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 附：硕士期间发表论文 | 第77页 |