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微波PIN二级管的设计与制备工艺研究

第一章 绪论第1-20页
   ·PIN二极管——PN结的发展第13页
   ·PIN二极管的概况第13-15页
     ·PIN二极管的定义第13-14页
     ·PIN二极管的重要意义第14-15页
   ·PIN二极管的应用第15-18页
     ·PIN二极管开关和移相器第15-17页
     ·PIN二极管脉冲发生器第17-18页
     ·PIN二极管倍频器第18页
   ·本论文研究的内容第18-20页
第二章 PIN二极管的基本原理第20-37页
   ·PIN二极管基本工作原理第20-24页
     ·PIN二极管的基本结构第20-21页
     ·直流电压作用下的工作状况第21-22页
     ·交流电压作用下的工作状况第22-23页
     ·交直流电压作用下的工作状况第23-24页
   ·PIN二极管的主要参数第24-33页
     ·在零偏压或反向偏压下的阻抗第24-27页
     ·在正向偏压下的阻抗第27-32页
     ·开关时间第32-33页
     ·击穿电压第33页
   ·PIN二极管的微波特性第33-37页
第三章 制备微波PIN二极管的几种工艺比较与分析第37-47页
   ·制备微波PIN二极管的几种工艺方法第37-42页
     ·离子注入法第37页
     ·扩散法第37-39页
     ·外延法第39页
     ·键合法第39-41页
     ·外延与键合比较第41-42页
   ·键合界面和外延界面的杂质分布比较第42-47页
     ·Tsuprem4模拟的过程第42-43页
     ·结果与讨论第43-47页
第四章 键合工艺的关键因素第47-56页
   ·键合工艺的相关因素第47-49页
     ·硅直接键合工艺第47页
     ·硅直接键合机制第47-48页
     ·与硅直接键合工艺相关的因素第48-49页
   ·表面平整度和粗糙度对键合的影响第49-56页
第五章 器件模拟及MEDICI第56-63页
   ·半导体器件模拟第56-59页
     ·MEDICI软件的模拟过程第56-57页
     ·器件模拟的基本方程及离散化求解第57-58页
     ·器件模拟的边界条件第58-59页
   ·器件模拟的物理模型第59-63页
第六章 PIN二极管的设计与制备第63-74页
   ·键合PIN二极管的反向模型第63-68页
     ·键合模型第63-64页
     ·PIN二极管反向模型的建立和计算第64-67页
     ·计算验证和分析第67-68页
   ·PIN二极管的设计第68-74页
     ·器件参数设计第68-73页
     ·PIN二极管的制备工艺第73-74页
第七章 结束语第74-75页
参考文献:第75-78页
附录一 攻读硕士期间发表的论文第78-79页

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