| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-15页 |
| ·SiC的主要性质、应用及制备技术 | 第8-11页 |
| ·SiC的结构性质及应用 | 第8-9页 |
| ·SiC 的制备 | 第9-10页 |
| ·SiC的研究趋势 | 第10页 |
| ·SiC薄膜的表征方法 | 第10-11页 |
| ·碳纳米管的主要性质、应用及制备技术 | 第11-14页 |
| ·碳纳米管的结构性质及应用 | 第12页 |
| ·碳纳米管的制备 | 第12-13页 |
| ·碳纳米管的研究趋势 | 第13页 |
| ·碳纳米管的表征方法 | 第13-14页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第14-15页 |
| 第2章 HFCVD方法制备SiC薄膜 | 第15-41页 |
| ·HFCVD成膜技术 | 第15-19页 |
| ·HFCVD的特点和结构 | 第15-16页 |
| ·HFCVD中SiC的成膜机理 | 第16-19页 |
| ·HFCVD制备SiC薄膜的研究 | 第19-40页 |
| ·反应气体流量组成对SiC薄膜生长的影响 | 第19-26页 |
| ·样品制备 | 第19-20页 |
| ·结果与讨论 | 第20-26页 |
| ·衬底正、负偏压对SiC薄膜生长的影响 | 第26-32页 |
| ·样品制备 | 第26页 |
| ·结果与讨论 | 第26-32页 |
| ·衬底温度对SiC薄膜生长的影响 | 第32-35页 |
| ·样品制备 | 第32-33页 |
| ·结果与讨论 | 第33-35页 |
| ·CF4对SiC薄膜生长的影响 | 第35-40页 |
| ·样品制备 | 第35页 |
| ·结果与讨论 | 第35-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第3章 PECVD方法制备SiC薄膜 | 第41-51页 |
| ·PECVD成膜技术 | 第41-44页 |
| ·PECVD 的特点和结构 | 第41-43页 |
| ·PECVD 的成膜机理 | 第43-44页 |
| ·PECVD 法以CF4 作C 源制备SiC 薄膜的研究 | 第44-50页 |
| ·射频功率对 SiC 薄膜生长的影响 | 第44-45页 |
| ·样品制备 | 第44页 |
| ·结果与讨论 | 第44-45页 |
| ·衬底温度对 SiC 薄膜生长的影响 | 第45-47页 |
| ·样品制备 | 第45-46页 |
| ·结果与讨论 | 第46-47页 |
| ·反应气体流量组成对 SiC 薄膜生长的影响 | 第47-50页 |
| ·样品制备 | 第47页 |
| ·结果与讨论 | 第47-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第4章 β-SiC 薄膜的场发射特性研究 | 第51-57页 |
| ·半导体的场发射理论 | 第51-52页 |
| ·β-SiC 薄膜的场发射特性研究 | 第52-56页 |
| ·样品的选择及其质量表征 | 第52-55页 |
| ·β-SiC 薄膜的场发射性能测量 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第5章 HFCVD 方法制备碳纳米管 | 第57-67页 |
| ·碳纳米管的生长机理 | 第57-59页 |
| ·HFCVD 法定向生长碳纳米管 | 第59-66页 |
| ·样品制备 | 第59-60页 |
| ·结果与讨论 | 第60-66页 |
| ·N2 对碳纳米管定向生长的影响 | 第62-65页 |
| ·辉光放电对碳纳米管定向生长的影响 | 第65-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 结论 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-79页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第79-81页 |
| 致谢 | 第81页 |