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基于高性能VIM体系结构的嵌入式存储系统的研究与实现

目录第1-6页
图目录第6-8页
表目录第8-9页
摘要第9-10页
ABSTRACT第10-11页
第一章 绪论第11-18页
 1.1 课题背景第11-15页
  1.1.1 存储器与处理器之间的性能差距第11-12页
  1.1.2 PIM技术第12-13页
  1.1.3 ILP处理器的局限性与向量处理器的优势第13-14页
  1.1.4 嵌入式存储器第14-15页
 1.2 课题研究的内容第15-16页
 1.3 本文的组织第16-18页
第二章 KD-VIM-1系统体系结构第18-26页
 2.1 VIM体系结构第18-19页
 2.2 KD-VIM-1结构第19-23页
  2.2.1 基于Sparc指令集标量核第19-20页
  2.2.2 向量处理部件第20-23页
  2.2.3 嵌入式存储系统及I/O第23页
 2.3 KD-VIM-1指令集结构第23-26页
  2.3.1 指令格式第23-24页
  2.3.2 向量操作第24-26页
第三章 基于 VIM的嵌入式存储系统相关技术研究第26-49页
 3.1 嵌入式存储体系结构第26-32页
  3.1.1 FlexRAM系统的存储体系结构第27-28页
  3.1.2 VIRAM-1系统的存储体系结构第28-29页
  3.1.3 KD-VIM-1系统的存储体系结构第29-32页
 3.2 存储系统的编址方式第32-41页
  3.2.1 向量访存模式第33页
  3.2.2 多体交叉编址第33-35页
  3.2.3 扭斜交叉编址第35-37页
  3.2.4 KD-VIM-1的嵌入式存储系统编址方式第37-41页
 3.3 交叉开关模型及调度算法第41-49页
  3.3.1 交叉开关模型第41-43页
  3.3.2 交叉开关调度算法第43-45页
  3.3.3 本文的解决方案第45-49页
第四章 KD-VIM-1的嵌入式存储系统的实现第49-73页
 4.1 KD-VIM-1的嵌入式存储系统基本结构第49-50页
 4.2 存储交叉开关第50-56页
  4.2.1 设计思想第50-51页
  4.2.2 设计方案第51-52页
  4.2.3 存储交叉开关的实现第52-56页
 4.3 存储控制器第56-63页
  4.3.1 存储控制器总体描述第56-57页
  4.3.2 存储控制器实现模块结构第57-58页
  4.3.3 DRAM初始化第58-60页
  4.3.4 读写周期第60-62页
  4.3.5 刷新周期第62页
  4.3.6 地址传输第62页
  4.3.7 时序控制第62-63页
 4.4 功能模拟、综合及验证第63-73页
  4.4.1 存储交叉开关的功能模拟第63-65页
  4.4.2 存储控制器功能模拟第65-69页
  4.4.3 嵌入式存储系统验证第69-71页
  4.4.4 FPGA综合结果第71-73页
第五章 结束语第73-75页
 5.1 全文结论第73页
 5.2 下一步的工作第73-75页
致谢第75-76页
附录 作者攻读硕士期间发表的论文第76-77页
参考文献表第77-79页

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