| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-26页 |
| 第一节 GaN的基本性质及应用 | 第11-16页 |
| 第二节 GaN薄膜的研究进展 | 第16-24页 |
| 第三节 研究课题的选取 | 第24-26页 |
| 第二章 实验设备和测试方法 | 第26-33页 |
| 第一节 实验设备 | 第26-30页 |
| 第二节 测试方法简介 | 第30-33页 |
| 第三章 热壁化学气相沉积Si基GaN薄膜 | 第33-45页 |
| 第一节 高温氨化Ga_2O_3形成GaN粉末 | 第33-36页 |
| 第二节 Si基GaN薄膜的制备 | 第36-37页 |
| 第三节 GaN微晶体特性分析 | 第37-40页 |
| 第四节 GaN薄膜的特性分析 | 第40-45页 |
| 第四章 硅基扩镓溅射Ga_2O_3反应自组装GaN薄膜 | 第45-62页 |
| 第一节 扩镓Si基和GaN薄膜的制备 | 第45-47页 |
| 第二节 预沉积和再分布Si基对GaN薄膜的影响 | 第47-51页 |
| 第三节 扩镓时间对GaN薄膜的影响 | 第51-56页 |
| 第四节 氮化温度和氮化时间对GaN薄膜的影响 | 第56-62页 |
| 第五章 一维纳米结构的研究 | 第62-72页 |
| 第一节 热壁化学气相沉积Si基Si_3N_4纳米管 | 第62-66页 |
| 第二节 一维GaN纳米结构的研究 | 第66-72页 |
| 第六章 结论 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-83页 |
| 攻读硕士学位期间发表的文章 | 第83-85页 |
| 致谢 | 第85页 |