| 第1章 绪论 | 第1-23页 |
| §1．1 金刚石的结构、性质及用途 | 第9-11页 |
| §1．2 金刚石膜制备的发展概况 | 第11-21页 |
| §1．3 研究背景及研究内容 | 第21-23页 |
| 第2章 化学气相沉积金刚石膜的机理综述 | 第23-32页 |
| §2．1 低压化学气相沉积金刚石膜的一般条件 | 第23-24页 |
| §2．2 低压化学气相沉积金刚石膜的生长机理和模型 | 第24-29页 |
| 2．2．1 金刚石形核 | 第24页 |
| 2．2．2 亚稳态生长 | 第24-25页 |
| 2．2．3 金刚石的生长模型 | 第25-29页 |
| §2．3 金刚石膜的常用表征方法 | 第29-32页 |
| 第3章 微波等离子体CVD系统与微波场型设计 | 第32-46页 |
| §3．1 系统的组成及工作原理 | 第32-35页 |
| §3．2 高稳定度微波源 | 第35-36页 |
| §3．3 微波反应腔场型设计与模式转换器的工作原理 | 第36-41页 |
| 3．3．1 微波反应腔场型设计 | 第36-38页 |
| 3．3．2 微波模式转换器的工作原理研究 | 第38-40页 |
| 3．3．3 TE_（11）模式的产生与抑制 | 第40-41页 |
| §3．4 光纤光谱仪联机检测 | 第41-46页 |
| 3．4．1 实验装置基本组成 | 第41-43页 |
| 3．4．2 测量原理 | 第43-46页 |
| 第4章 MPCVD-4型系统反应腔的温度场型研究 | 第46-63页 |
| §4．1 非均匀等离子体温度场综合模型 | 第46-51页 |
| §4．2 复合介质基片材料的复合温度场型 | 第51-54页 |
| §4．3 复合介质材料温度场摄动模型 | 第54-56页 |
| §4．4 基片加热材料的优选及温度场分析 | 第56-63页 |
| 第5章 谐振腔式MPCVD法制备金刚石膜工艺研究 | 第63-72页 |
| §5．1 基片表面处理的作用 | 第63-66页 |
| §5．2 气源系统的影响 | 第66-67页 |
| §5．3 沉积气压的影响 | 第67-69页 |
| §5．4 基片位置的影响 | 第69-72页 |
| 第6章 高取向（100）金刚石膜的制备 | 第72-87页 |
| §6．1 三种单晶金刚石的形貌及相互转化 | 第72-73页 |
| §6．2 气相反应基团的光纤光谱在线检测 | 第73-75页 |
| §6．3 高取向（100）金刚石膜的制备 | 第75-87页 |
| 第7章 透明金刚石膜的制备 | 第87-93页 |
| §7．1 透明金刚石膜的光学性质估算 | 第87-90页 |
| §7．2 透明金刚石膜的制备 | 第90-93页 |
| 结论 | 第93-95页 |
| 参考文献 | 第95-102页 |
| 致谢 | 第102-103页 |
| 攻读博士期间发表的论文 | 第103-105页 |