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C-SiC-B4C-TiB2复合材料的组织与性能

摘要第1-7页
Abstract第7-14页
第一章 绪论第14-34页
   ·引言第14-15页
   ·C-SiC-B_4C-TiB_2复合材料概述第15-16页
   ·C-SiC-B_4C-TiB_2复合材料的制备方法第16-21页
     ·烧结技术第16-19页
     ·CVD技术第19页
     ·浸渍技术第19-20页
     ·纤维补强增韧技术第20页
     ·涂层技术第20页
     ·结合了混合磨碎、浸渍技术和热压烧结技术第20-21页
   ·C-SiC-B_4C-TiB_2复合材料各组元的性质第21-24页
     ·C_(鳞片)的性质第21-23页
     ·B_4C的性质第23页
     ·SiC的性质第23-24页
     ·TiB_2的性质第24页
   ·C-SiC-B_4C-TiB_2复合材料的力学性能第24-25页
   ·C-SiC-B_4C-TiB_2复合材料的抗氧化性第25-28页
     ·涂层抗氧化保护法第26页
     ·抑制剂抗氧化保护法第26-28页
   ·C-SiC-B_4C-TiB_2复合材料氧化行为的研究方法第28-31页
     ·计算机模拟法第28-31页
     ·计算机模拟的意义第31页
     ·实验分析法第31页
   ·本文的研究方法第31-32页
   ·本文的研究内容第32-34页
第二章 高速飞行器温度场第34-42页
   ·引言第34页
   ·飞行器气动加热第34-35页
   ·基本理论第35-40页
     ·空气动力学方程组第35-36页
     ·有限体积法第36-37页
     ·计算温度场的原理第37页
     ·返回舱温度场第37-40页
   ·小结第40-42页
第三章 C-SiC-B_4C-TiB_2复合材料氧化过程模拟第42-58页
   ·引言第42页
   ·C_(鳞片)-SiC-B_4C-TiB_2氧化过程模拟第42-50页
     ·基本方程和边界条件第44-47页
     ·C_(鳞片)低有序化第47-49页
     ·C_(鳞片)高有序化第49-50页
   ·C_(纤维)-SiC-B_4C-TiB_2氧化模拟第50-54页
     ·边界条件和网格划分第51页
     ·C_(纤维)-SiC-B_4C-TiB_2复合材料的温度和压力分布第51-52页
     ·C_(纤维)-SiC-B_4C-TiB_2复合材料的气体通道第52-54页
   ·C_(颗粒)-SiC-B_4C-TiB_2氧化模拟第54-55页
   ·C_(鱗片)-SiC-B_4C-TiB_2复合材料用于高温区第55-56页
   ·小结第56-58页
第四章 均匀混合法制备C-SiC-B_4C-TiB_2复合材料组织与性能第58-76页
   ·引言第58页
   ·实验原料第58页
   ·反应烧结的热力学分析第58-59页
   ·实验过程及实验方法第59-62页
     ·热压设备第59页
     ·样品制备第59-62页
   ·C-SiC-B_4C-TiB_2复合材料组织和性能第62-64页
     ·样品体积密度和气孔率的测定第62-63页
     ·样品抗弯强度的测定第63页
     ·样品断裂韧性的测定第63-64页
     ·样品的XRD物相分析第64页
   ·复合材料的XRD分析第64-66页
   ·热压温度和C相质量百分数对体积密度和开口气孔率的影响第66-67页
   ·热压温度和C相质量百分数对抗弯强度的影响第67-68页
   ·热压温度和C相质量百分数对断裂韧性的影响第68-69页
   ·复合材料的显微组织第69-71页
   ·复合材料的碳-陶界面第71-72页
   ·复合材料的断裂特征第72-73页
   ·复合材料的增韧机理第73-74页
   ·复合材料的断裂有限元模拟第74-75页
   ·小结第75-76页
第五章 均匀混合法制备C-SiC-B_4C-TiB_2复合材料的自愈合抗氧化第76-98页
   ·前言第76页
   ·复合材料中各组元的氧化第76-78页
     ·C_(鳞片)的氧化行为第76页
     ·B_4C的氧化行为第76页
     ·SiC的氧化行为第76-77页
     ·TiB_2的氧化行为第77-78页
   ·复合材料的氧化行为第78-92页
     ·复合材料氧化过程的控制因素第78页
     ·复合材料的恒温抗氧化实验第78-87页
     ·复合材料的TG/DTA实验第87-92页
   ·复合材料的氧化机理第92-95页
     ·化学反应控制的氧化区第93页
     ·O_2通过微裂纹扩散的氧化区第93-94页
     ·O_2通过气泡扩散的氧化区第94-95页
     ·SiC-O_2反应控制氧化区第95页
   ·小结第95-98页
第六章 均匀混合法制备C-SiC-B_4C-TiB_2复合材料的氧化动力学第98-108页
   ·引言第98页
   ·反应控制过程的动力学第98-104页
     ·C-O_2反应的氧化动力学模型第98-99页
     ·陶瓷相氧化反应的氧化动力学模型第99页
     ·反应控制过程动力学计算第99-104页
   ·扩散控制过程的动力学第104-107页
     ·扩散控制过程的动力学模型第104-105页
     ·扩散控制过程的动力学计算第105-107页
   ·小结第107-108页
第七章 包覆工艺制备50wt.%C-SiC-B_4C-TiB_2复合材料的组织与性能第108-116页
   ·引言第108页
   ·样品制备和实验方法第108页
   ·XRD物相分析第108-109页
   ·热压温度对复合材料致密化和力学性能的影响第109-110页
   ·热压温度对复合材料显微组织的影响第110-112页
   ·热压温度对复合材料的断裂特征的影响第112-114页
   ·复合材料氧化行为的研究第114-115页
   ·小结第115-116页
第八章 结论第116-120页
参考文献第120-128页
致谢第128-130页
攻读博士学位期间发表的论著和科研情况第130-132页
作者简介第132页

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