| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 综述 | 第10-14页 |
| ·研究背景与研究目的 | 第10页 |
| ·国内外研究现状 | 第10-11页 |
| ·理论研究现状 | 第10页 |
| ·实验研究现状 | 第10-11页 |
| ·β-Ga_2O_3的结构和性质 | 第11-12页 |
| ·β-Ga_2O_3的结构特性 | 第11页 |
| ·β-Ga_2O_3光电性质 | 第11-12页 |
| ·第一性原理及 CASTEP 介绍 | 第12-13页 |
| ·第一性原理介绍 | 第12页 |
| ·CASTEP 软件介绍 | 第12-13页 |
| ·磁控溅射方法介绍 | 第13-14页 |
| 第二章 N 掺杂β-Ga_2O_3的理论研究 | 第14-22页 |
| ·研究背景与意义 | 第14页 |
| ·计算细节 | 第14-15页 |
| ·结果与讨论 | 第15-21页 |
| ·几何结构 | 第15-16页 |
| ·差分电荷 | 第16-17页 |
| ·能带结构和态密度 | 第17-20页 |
| ·光学性质 | 第20-21页 |
| ·小结 | 第21-22页 |
| 第三章 N 掺杂β-Ga_2O_3薄膜的制备与性质的研究 | 第22-28页 |
| ·研究背景与意义 | 第22页 |
| ·实验细节 | 第22页 |
| ·结果与讨论 | 第22-27页 |
| ·微观结构 | 第22-24页 |
| ·光学性质 | 第24-27页 |
| ·小结 | 第27-28页 |
| 第四章 不同 N 浓度掺杂β-Ga_2O_3的理论研究 | 第28-37页 |
| ·研究背景与意义 | 第28页 |
| ·计算细节 | 第28页 |
| ·结果与讨论 | 第28-36页 |
| ·形成能与结构性质 | 第28-30页 |
| ·差分电荷 | 第30-31页 |
| ·能带结构和态密度 | 第31-34页 |
| ·光学性质 | 第34-36页 |
| ·小结 | 第36-37页 |
| 第五章 N-Zn 共掺杂β-Ga_2O_3的理论研究 | 第37-45页 |
| ·研究背景与意义 | 第37页 |
| ·计算细节 | 第37-38页 |
| ·结果与讨论 | 第38-44页 |
| ·几何结构 | 第38-39页 |
| ·差分电荷 | 第39-40页 |
| ·电子结构 | 第40-42页 |
| ·光学性质 | 第42-44页 |
| ·小结 | 第44-45页 |
| 第六章 结论与展望 | 第45-47页 |
| ·结论 | 第45页 |
| ·展望 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 攻读硕士学位期间取得的科研成果 | 第54页 |
