实空间转移晶体管的研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-16页 |
| ·课题研究背景 | 第7-8页 |
| ·负阻效应以及负阻器件 | 第8-10页 |
| ·实空间转移晶体管的研究进展 | 第10-11页 |
| ·异质结和量子阱相关知识 | 第11-14页 |
| ·半导体异质结的能带图 | 第11页 |
| ·异质结量子阱中的二维电子气 | 第11-13页 |
| ·半导体中的热电子 | 第13-14页 |
| ·本论文的研究工作 | 第14-16页 |
| 第二章 RSTT工作原理 | 第16-23页 |
| ·两端GaAs衬底RSTT工作原理 | 第16-17页 |
| ·三端双沟道GaAs衬底RSTT工作原理 | 第17-23页 |
| ·器件结构 | 第17-20页 |
| ·通用公式建立 | 第20-22页 |
| ·原理介绍 | 第22-23页 |
| 第三章 RSTT材料结构及模拟工具 | 第23-35页 |
| ·RSTT材料结构 | 第23页 |
| ·半导体器件模拟研究 | 第23-27页 |
| ·器件模拟的发展 | 第24-25页 |
| ·器件模拟工具 | 第25-27页 |
| ·ATLAS器件模拟基本方程及求解 | 第27-35页 |
| ·ATLAS器件模拟所用的基本方程 | 第28-29页 |
| ·ATLAS器件模拟的求解过程 | 第29-35页 |
| 第四章 RSTT工艺特性测量 | 第35-41页 |
| ·测试设备 | 第35页 |
| ·器件特性 | 第35-41页 |
| ·测量结果 | 第35-36页 |
| ·参数分析与讨论 | 第36-41页 |
| 第五章 RSTT器件模拟 | 第41-51页 |
| ·模型分析 | 第41-42页 |
| ·RSTT的结构设计与ATLAS模拟 | 第42-51页 |
| ·4um沟道RSTT器件模拟 | 第42-46页 |
| ·参数分析 | 第46-49页 |
| ·典型集电极转移的RSTT模拟 | 第49-51页 |
| 第六章 总结与展望 | 第51-53页 |
| ·全文总结 | 第51-52页 |
| ·前景展望 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 附录 | 第56-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
