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Ⅱ-Ⅵ族一维半导体纳米材料阵列的制备及其性质的研究

中文摘要第1-4页
Abstract第4-9页
第一章 绪论第9-14页
   ·纳米材料阵列的概述第9-11页
   ·本论文的出发点第11-14页
第二章 一维纳米材料阵列的制备方法第14-29页
   ·模板法第14-23页
     ·正相模板法第15-21页
     ·负相模板法第21-23页
   ·非模板法第23-29页
     ·溶液法第23-25页
     ·气相-液相-固相生长法(VLS)第25-27页
     ·气相-固相生长法(VS)第27-29页
第三章 纳米材料阵列的场发射性质研究第29-49页
   ·场致电子发射的几个相关概念第29-32页
   ·金属的场发射理论基础第32-34页
   ·半导体场发射的理论基础第34-36页
   ·场致电子发射的在应用领域的进展第36-40页
   ·场发射阴极材料第40-49页
     ·难熔金属第40-41页
     ·碳质材料第41-43页
     ·一维半导体材料第43-49页
第四章 水热法控制生长 ZnO 纳米棒阵列 及其场发射性质的研究第49-65页
   ·实验部分第49-51页
     ·实验仪器与试剂第49-50页
     ·氧化锌( ZnO)纳米颗粒的制备第50页
     ·氧化锌( ZnO)纳米棒阵列的制备第50-51页
     ·氧化锌( ZnO)纳米棒阵列场发射性能的测量第51页
   ·结果与讨论第51-64页
     ·氧化锌( ZnO)纳米棒阵列生长的调控第51-57页
     ·氧化锌( ZnO)纳米棒阵列的表征第57-59页
     ·不同长径比氧化锌( ZnO)纳米棒阵列的场发射性能第59-62页
     ·不同长径比氧化锌( ZnO)纳米棒阵列场发射性能的理论模拟第62-64页
   ·结论第64-65页
第五章 ZnO/CuS,ZnO/PbS PN 异质结阵列的制备 及其性质的研究第65-79页
   ·ZnO/CuS PN 异质结的制备及其性能的研究第65-73页
     ·实验部分第65-67页
     ·结果与讨论第67-73页
   ·ZNO/PBS PN 异质结的制备及其性能的研究第73-78页
     ·实验部分第73-74页
     ·结果与讨论第74-78页
   ·结论第78-79页
第六章 CDS 纳米管阵列的制备及其场发射性质的研究第79-91页
   ·实验部分第79-81页
     ·实验仪器与试剂第79-80页
     ·CdS 纳米管阵列的制备第80页
     ·CdS 纳米管阵列场发射性能的测量第80-81页
   ·结果与讨论第81-90页
     ·CdS 纳米管阵列的表征第81-85页
     ·CdS 纳米管阵列的场发射性能第85-87页
     ·理论模型第87-90页
   ·结论第90-91页
论文总结第91-93页
参考文献第93-103页
博士期间发表及待发表的学术论文第103-104页
致谢第104-105页
详细摘要第105-113页

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