多孔硅吸杂对单晶硅导电特性的影响
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-24页 |
| ·立题背景 | 第10-11页 |
| ·太阳能级硅材料的吸杂研究和多孔硅吸杂的研究现状 | 第11页 |
| ·多孔硅概述 | 第11-20页 |
| ·多孔硅的研究和应用 | 第11-13页 |
| ·多孔硅的形成机理 | 第13-15页 |
| ·多孔硅的制备 | 第15-18页 |
| ·多孔硅的微观结构和后处理 | 第18-20页 |
| ·多孔硅形貌、结构及吸杂性能的检测方法及原理 | 第20-22页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第20-21页 |
| ·X射线衍射技术(XRD) | 第21页 |
| ·傅里叶红外光谱仪(FTIR) | 第21页 |
| ·KDY-1型四探针电阻率测试仪 | 第21-22页 |
| ·本论文研究目的及主要内容 | 第22-24页 |
| 2 实验内容及方法 | 第24-31页 |
| ·实验用材料和试剂 | 第24页 |
| ·硅片的清洗 | 第24页 |
| ·实验路线 | 第24-25页 |
| ·具体实验过程 | 第25-27页 |
| ·单电解槽制备多孔硅 | 第25-26页 |
| ·双电解槽制备多孔硅 | 第26页 |
| ·化学腐蚀法制备多孔硅 | 第26-27页 |
| ·制备和测试设备 | 第27-31页 |
| 3 不同方法制备多孔硅 | 第31-42页 |
| ·引言 | 第31-32页 |
| ·多孔硅微观形貌比较 | 第32-36页 |
| ·电化学腐蚀制备的多孔硅形貌比较 | 第32-33页 |
| ·腐蚀电流密度对多孔硅形貌的影响 | 第33-34页 |
| ·腐蚀时间对多孔硅形貌的影响 | 第34-35页 |
| ·化学腐蚀法中腐蚀时间对多孔硅形貌的影响 | 第35-36页 |
| ·多孔硅孔隙率的变化规律 | 第36-39页 |
| ·多孔硅结构的变化规律 | 第39-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 4 吸杂处理对单晶硅电阻率的影响 | 第42-47页 |
| ·引言 | 第42-43页 |
| ·电化学腐蚀工艺参数对单晶硅电阻率的影响 | 第43-45页 |
| ·电化学腐蚀电流密度对电阻率的影响 | 第43-44页 |
| ·电化学腐蚀时间对电阻率的影响 | 第44页 |
| ·热处理温度对电阻率的影响 | 第44-45页 |
| ·化学腐蚀法腐蚀时间对吸杂后单晶硅电阻率的影响 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 5 电子束轰击对多孔硅吸杂性能的影响 | 第47-54页 |
| ·引言 | 第47-48页 |
| ·电子束轰击对多孔硅吸杂性能的影响 | 第48-53页 |
| ·实验 | 第48-49页 |
| ·实验结果和讨论 | 第49-53页 |
| ·本章小结和展望 | 第53-54页 |
| 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
