中文摘要 | 第1-12页 |
ABSTRACT | 第12-17页 |
第一章 绪论 | 第17-47页 |
·窄禁带半导体 | 第18-21页 |
·HGCDTE 材料概述 | 第21-23页 |
·HGCDTE 材料的物理性质 | 第23-27页 |
·晶格结构 | 第23-24页 |
·能带结构 | 第24-26页 |
·禁带宽度E_g | 第26-27页 |
·HgCdTe 材料的晶体生长 | 第27-34页 |
·体材料生长方法 | 第27-30页 |
·薄膜生长方法 | 第30-34页 |
·研究现状与进展 | 第34-41页 |
·各种衬底材料比较 | 第34-38页 |
·研究进展 | 第38-41页 |
·本论文的主要创新点和内容安排 | 第41-43页 |
参考文献 | 第43-47页 |
第二章 脉冲激光沉积技术 | 第47-62页 |
·PLD 的原理 | 第47-50页 |
·PLD 的特点 | 第50页 |
·影响PLD 沉积的因素 | 第50-54页 |
·激光能量密度 | 第51-52页 |
·衬底温度 | 第52页 |
·气压 | 第52-53页 |
·靶与衬底之间的距离 | 第53-54页 |
·PLD 的不足 | 第54页 |
·薄膜制备过程及主要测试手段 | 第54-61页 |
·薄膜制备过程及实验测试设备 | 第54-56页 |
·测试方法介绍 | 第56-61页 |
参考文献 | 第61-62页 |
第三章 衬底材料对HGCDTE 薄膜的影响 | 第62-71页 |
·样品制备 | 第63页 |
·实验结果分析 | 第63-69页 |
·XRD 结果及分析 | 第64-67页 |
·表面形貌分析 | 第67-69页 |
·薄膜成分结果分析 | 第69页 |
·小结 | 第69-70页 |
参考文献 | 第70-71页 |
第四章 靶与衬底之间距离(D_(t-s) )对HGCDTE 薄膜的影响 | 第71-79页 |
·实验条件 | 第71-72页 |
·实验结果分析 | 第72-77页 |
·膜厚及表面形貌结果分析 | 第72-74页 |
·成分和XRD 结果分析 | 第74-77页 |
·小结 | 第77-78页 |
参考文献 | 第78-79页 |
第五章 衬底温度对HgCdTe 薄膜的影响 | 第79-87页 |
·实验条件 | 第80页 |
·实验结果及分析 | 第80-85页 |
·表面形态结果分析 | 第80-81页 |
·结晶分析 | 第81-84页 |
·薄膜成分结果分析 | 第84-85页 |
·小结 | 第85-86页 |
参考文献 | 第86-87页 |
第六章 气压对PLD 制备HgCdTe 薄膜的影响 | 第87-95页 |
·实验条件 | 第87-88页 |
·实验结果及分析 | 第88-93页 |
·膜厚和结晶质量分析 | 第88-89页 |
·薄膜成分结果分析 | 第89-91页 |
·表面形貌分析 | 第91-93页 |
·小结 | 第93-94页 |
参考文献 | 第94-95页 |
第七章 不同入射激光能量对HgCdTe 表面质量的影响 | 第95-103页 |
·实验条件 | 第96页 |
·实验结果及分析 | 第96-101页 |
·膜厚和XRD 结果分析 | 第96-99页 |
·表面形貌分析 | 第99页 |
·成分和电学性质分析 | 第99-101页 |
·小结 | 第101-102页 |
参考文献 | 第102-103页 |
第八章 HgCdTe 薄膜生长过程的理论研究 | 第103-123页 |
·脉冲激光制备HgCdTe 薄膜过程中等离子体演化的动力学模拟 | 第103-111页 |
·脉冲激光烧蚀产生的等离子体发射 | 第103页 |
·等离子体在真空作等温膨胀( t ≤τ) | 第103-106页 |
·等离子体的绝热膨胀过程 | 第106-109页 |
·薄膜空间浓度分布 | 第109-111页 |
·薄膜生长的蒙特卡罗模拟 | 第111-120页 |
·薄膜生长理论研究概况 | 第111-114页 |
·动力学蒙特卡罗模型 | 第114页 |
·考虑衬底温度的蒙特卡罗模型与算法描述 | 第114-116页 |
·模拟结果与分析 | 第116-120页 |
·本章小结 | 第120-121页 |
参考文献 | 第121-123页 |
第九章 结论 | 第123-126页 |
·本论文的主要研究结果 | 第123-125页 |
·实验分析 | 第123-124页 |
·理论模拟 | 第124-125页 |
·对今后研究工作的建议 | 第125-126页 |
攻读博士学位期间发表的文章 | 第126-128页 |
致谢 | 第128-129页 |