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脉冲激光沉积(PLD)碲镉汞(HgCdTe)薄膜材料结构特性的研究

中文摘要第1-12页
ABSTRACT第12-17页
第一章 绪论第17-47页
   ·窄禁带半导体第18-21页
   ·HGCDTE 材料概述第21-23页
   ·HGCDTE 材料的物理性质第23-27页
     ·晶格结构第23-24页
     ·能带结构第24-26页
     ·禁带宽度E_g第26-27页
   ·HgCdTe 材料的晶体生长第27-34页
     ·体材料生长方法第27-30页
     ·薄膜生长方法第30-34页
   ·研究现状与进展第34-41页
     ·各种衬底材料比较第34-38页
     ·研究进展第38-41页
   ·本论文的主要创新点和内容安排第41-43页
 参考文献第43-47页
第二章 脉冲激光沉积技术第47-62页
   ·PLD 的原理第47-50页
   ·PLD 的特点第50页
   ·影响PLD 沉积的因素第50-54页
     ·激光能量密度第51-52页
     ·衬底温度第52页
     ·气压第52-53页
     ·靶与衬底之间的距离第53-54页
   ·PLD 的不足第54页
   ·薄膜制备过程及主要测试手段第54-61页
     ·薄膜制备过程及实验测试设备第54-56页
     ·测试方法介绍第56-61页
 参考文献第61-62页
第三章 衬底材料对HGCDTE 薄膜的影响第62-71页
   ·样品制备第63页
   ·实验结果分析第63-69页
     ·XRD 结果及分析第64-67页
     ·表面形貌分析第67-69页
     ·薄膜成分结果分析第69页
   ·小结第69-70页
 参考文献第70-71页
第四章 靶与衬底之间距离(D_(t-s) )对HGCDTE 薄膜的影响第71-79页
   ·实验条件第71-72页
   ·实验结果分析第72-77页
     ·膜厚及表面形貌结果分析第72-74页
     ·成分和XRD 结果分析第74-77页
   ·小结第77-78页
 参考文献第78-79页
第五章 衬底温度对HgCdTe 薄膜的影响第79-87页
   ·实验条件第80页
   ·实验结果及分析第80-85页
     ·表面形态结果分析第80-81页
     ·结晶分析第81-84页
     ·薄膜成分结果分析第84-85页
   ·小结第85-86页
 参考文献第86-87页
第六章 气压对PLD 制备HgCdTe 薄膜的影响第87-95页
   ·实验条件第87-88页
   ·实验结果及分析第88-93页
     ·膜厚和结晶质量分析第88-89页
     ·薄膜成分结果分析第89-91页
     ·表面形貌分析第91-93页
   ·小结第93-94页
 参考文献第94-95页
第七章 不同入射激光能量对HgCdTe 表面质量的影响第95-103页
   ·实验条件第96页
   ·实验结果及分析第96-101页
     ·膜厚和XRD 结果分析第96-99页
     ·表面形貌分析第99页
     ·成分和电学性质分析第99-101页
   ·小结第101-102页
 参考文献第102-103页
第八章 HgCdTe 薄膜生长过程的理论研究第103-123页
   ·脉冲激光制备HgCdTe 薄膜过程中等离子体演化的动力学模拟第103-111页
     ·脉冲激光烧蚀产生的等离子体发射第103页
     ·等离子体在真空作等温膨胀( t ≤τ)第103-106页
     ·等离子体的绝热膨胀过程第106-109页
     ·薄膜空间浓度分布第109-111页
   ·薄膜生长的蒙特卡罗模拟第111-120页
     ·薄膜生长理论研究概况第111-114页
     ·动力学蒙特卡罗模型第114页
     ·考虑衬底温度的蒙特卡罗模型与算法描述第114-116页
     ·模拟结果与分析第116-120页
   ·本章小结第120-121页
 参考文献第121-123页
第九章 结论第123-126页
   ·本论文的主要研究结果第123-125页
     ·实验分析第123-124页
     ·理论模拟第124-125页
   ·对今后研究工作的建议第125-126页
攻读博士学位期间发表的文章第126-128页
致谢第128-129页

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