| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-30页 |
| 1.1 原子力显微镜 | 第12-18页 |
| 1.1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.1.2 原子力显微镜的工作原理及模式 | 第13-16页 |
| 1.1.3 原子力显微镜的组成及参数 | 第16-17页 |
| 1.1.4 原子力显微镜在力电性能方面的应用 | 第17-18页 |
| 1.2 二硫化钼的结构和性质 | 第18-22页 |
| 1.2.1 二硫化钼的晶体结构 | 第18-19页 |
| 1.2.2 二硫化钼的光学性质 | 第19-20页 |
| 1.2.3 二硫化钼的电学性质 | 第20-21页 |
| 1.2.4 二硫化钼的力学性质 | 第21-22页 |
| 1.3 二硫化钼的应用 | 第22-26页 |
| 1.3.1 异质结太阳能电池 | 第22-23页 |
| 1.3.2 光电探测器 | 第23页 |
| 1.3.3 场效应晶体管 | 第23-24页 |
| 1.3.4 气敏传感器 | 第24-25页 |
| 1.3.5 存储器件 | 第25页 |
| 1.3.6 柔性器件 | 第25-26页 |
| 1.4 论文主要研究的内容 | 第26-27页 |
| 1.5 论文的结构与安排 | 第27-30页 |
| 第2章 二硫化钼的制备及表征 | 第30-44页 |
| 2.1 实验材料与设备 | 第30-31页 |
| 2.1.1 实验材料 | 第30页 |
| 2.1.2 实验设备 | 第30-31页 |
| 2.2 二硫化钼的制备方法 | 第31-35页 |
| 2.2.1 “自上而下”法 | 第32-33页 |
| 2.2.2 “自下而上”法 | 第33-34页 |
| 2.2.3 二硫化钼制备方法比较 | 第34-35页 |
| 2.3 微机械剥离法制备二硫化钼 | 第35-38页 |
| 2.3.1 硅基底的清洗 | 第35页 |
| 2.3.2 微机械剥离过程 | 第35-36页 |
| 2.3.3 二硫化钼的处理 | 第36页 |
| 2.3.4 光学显微镜下粗略判断样品的厚度与位置 | 第36-37页 |
| 2.3.5 影响样品制备的因素 | 第37-38页 |
| 2.4 二硫化钼层数的表征 | 第38-42页 |
| 2.4.1 光学显微镜表征 | 第39-40页 |
| 2.4.2 原子力显微镜确定二硫化钼层数 | 第40-41页 |
| 2.4.3 拉曼光谱确定二硫化钼层数 | 第41-42页 |
| 2.5 本章小结 | 第42-44页 |
| 第3章 扫描开尔文探针显微镜对二硫化钼电学性能的研究 | 第44-54页 |
| 3.1 引言 | 第44页 |
| 3.2 扫描开尔文探针显微镜的工作原理 | 第44-47页 |
| 3.3 探针高度和样品温度对测试的影响 | 第47-49页 |
| 3.4 二硫化钼与不同材料组成的异质结的电学性能研究 | 第49-53页 |
| 3.4.1 SiO_2/Si基底上二硫化钼纳米片的电学性能研究 | 第49-51页 |
| 3.4.2 二硫化钼/铂异质结的电学性能研究 | 第51-52页 |
| 3.4.3 二硫化钼/BaTiO_3铁电异质结的电学性能研究 | 第52-53页 |
| 3.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 第4章 导电原子力显微镜对二硫化钼电输运性能的研究 | 第54-60页 |
| 4.1 引言 | 第54页 |
| 4.2 导电原子力显微镜的工作原理 | 第54-55页 |
| 4.3 二硫化钼/铂异质结的电输运性能研究 | 第55-58页 |
| 4.4 电压对二硫化钼/铂异质结电输运性能的影响 | 第58-59页 |
| 4.5 本章小结 | 第59-60页 |
| 第5章 双峰原子力显微镜对二硫化钼力学性能的研究 | 第60-70页 |
| 5.1 引言 | 第60页 |
| 5.2 双峰原子力显微镜的工作原理 | 第60-63页 |
| 5.3 二硫化钼在SiO_2/Si基底上力学性能研究 | 第63-65页 |
| 5.4 二硫化钼/铂异质结的力学性能研究 | 第65-67页 |
| 5.5 二硫化钼/BaTiO_3铁电异质结的力学性能研究 | 第67-68页 |
| 5.6 本章小结 | 第68-70页 |
| 第6章 论文总结与展望 | 第70-74页 |
| 6.1 论文总结 | 第70-71页 |
| 6.2 论文展望 | 第71-74页 |
| 参考文献 | 第74-88页 |
| 攻读硕士期间已发表的论文 | 第88-90页 |
| 致谢 | 第90页 |
