单晶LaB6场发射二极管阵列研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 前言 | 第9-13页 |
| ·课题研究背景 | 第9-10页 |
| ·课题研究意义 | 第10-12页 |
| ·本论文的主要工作 | 第12-13页 |
| 第二章 场发射阵列（FEA） | 第13-28页 |
| ·场发射发展史 | 第13-14页 |
| ·场致发射理论 | 第14-16页 |
| ·场致电子发射 | 第14-15页 |
| ·场致发射方程 | 第15-16页 |
| ·场发射阵列的分类与制备 | 第16-21页 |
| ·钼锥场发射阵列及其制备 | 第16-18页 |
| ·硅锥场发射阵列及其制备 | 第18-19页 |
| ·金刚石薄膜场发射阵列及其制备 | 第19-20页 |
| ·碳纳米管场发射阵列及其制备 | 第20-21页 |
| ·场发射阵列的应用 | 第21-28页 |
| ·场发射显示器件（FED） | 第21-25页 |
| ·FEA 应用于微波器件 | 第25-26页 |
| ·FEA 应用于其它方面 | 第26-28页 |
| 第三章 场发射阵列制备的前期设计 | 第28-36页 |
| ·场发射阵列的材料选择 | 第28-32页 |
| ·FEA 的材料选择标准 | 第28-30页 |
| ·六硼化镧的材料特性 | 第30-32页 |
| ·场发射阵列的结构优化 | 第32-34页 |
| ·FEA 的结构优化标准 | 第32-34页 |
| ·FEA 的最佳结构设计 | 第34页 |
| ·LAB_6场发射阵列的制备方案 | 第34-36页 |
| 第四章 LAB_6场发射阵列的制备 | 第36-56页 |
| ·基片的抛光与清洗 | 第36-40页 |
| ·基片的抛光 | 第36-38页 |
| ·基片的清洗 | 第38-40页 |
| ·掩模的沉积工艺 | 第40-44页 |
| ·掩模材料的选择 | 第40-41页 |
| ·PECVD 工艺原理 | 第41-42页 |
| ·SIN_X的沉积实验 | 第42-44页 |
| ·光刻与刻蚀工艺 | 第44-49页 |
| ·光刻工艺 | 第44-46页 |
| ·刻蚀工艺 | 第46-49页 |
| ·电化学腐蚀工艺 | 第49-56页 |
| ·电化学腐蚀原理 | 第49-50页 |
| ·电化学实验装置 | 第50-51页 |
| ·实验步骤一：电解液类型 | 第51-52页 |
| ·实验步骤二：电解液浓度 | 第52-53页 |
| ·实验步骤三：电解电流大小 | 第53-54页 |
| ·实验步骤四：电解时间长短 | 第54-55页 |
| ·实验结果与分析 | 第55-56页 |
| 第五章 LAB_6场发射阵列的发射性能测试 | 第56-61页 |
| ·测试装置的设计制作 | 第56-58页 |
| ·测试结果与分析 | 第58-61页 |
| ·I-V 特性 | 第58-59页 |
| ·F-N 曲线 | 第59页 |
| ·发射稳定性 | 第59-60页 |
| ·抗中毒能力 | 第60-61页 |
| 第六章 结束语 | 第61-63页 |
| ·结论 | 第61-62页 |
| ·展望 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第69-70页 |
