| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 致谢 | 第9-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-26页 |
| ·前言 | 第15-18页 |
| ·纳米材料及其器件 | 第18-26页 |
| ·纳米材料研究 | 第18-19页 |
| ·纳米器件研究 | 第19-26页 |
| 第二章 实验设备、工艺及表征 | 第26-37页 |
| ·实验药品及设备 | 第26-27页 |
| ·实验药品 | 第26页 |
| ·实验设备 | 第26-27页 |
| ·实验工艺 | 第27-33页 |
| ·CdS:P 纳米带的合成工艺 | 第27-28页 |
| ·纳米场效应管的制备工艺 | 第28-33页 |
| ·底栅场效应管的制备工艺 | 第28-31页 |
| ·顶栅场效应管的制备工艺 | 第31-33页 |
| ·纳米材料的表征 | 第33-37页 |
| 第三章 磷掺杂CdS 纳米带的合成及其底栅场效应管的制备与表征 | 第37-54页 |
| ·引言 | 第37页 |
| ·磷掺杂CdS 纳米带的合成及表征 | 第37-40页 |
| ·磷掺杂CdS 纳米带的合成 | 第37-38页 |
| ·磷掺杂CdS 纳米带的表征 | 第38-40页 |
| ·磷掺杂CdS 纳米带的形貌表征 | 第38-39页 |
| ·磷掺杂CdS 纳米带的成分分析 | 第39-40页 |
| ·磷掺杂CdS 纳米带底栅场效应管的制备与表征 | 第40-51页 |
| ·磷掺杂CdS 纳米带的底栅场效应管的制备 | 第40-44页 |
| ·MASK 模板法制备磷掺杂CdS 纳米带底栅场效应管 | 第41-43页 |
| ·光刻法制备磷掺杂CdS 纳米带底栅场效应管 | 第43-44页 |
| ·磷掺杂CdS 纳米带底栅场效应管的光电性能 | 第44-51页 |
| ·退火对磷掺杂CdS 纳米带底栅场效应管器件性能的改善 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 第四章 磷掺杂CdS 纳米带顶栅场效应管的制备与表征 | 第54-62页 |
| ·高介电常数绝缘层及顶栅结构在电子器件中的应用 | 第54页 |
| ·磷掺杂CdS 纳米带顶栅场效应管的制备 | 第54-57页 |
| ·磷掺杂CdS 纳米带顶栅场效应管的光电性能 | 第57-60页 |
| ·本章小结 | 第60-62页 |
| 第五章 全文总结 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-71页 |
| 攻读硕士期间发表论文情况 | 第71-72页 |
