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基于光谱椭偏术的硅球表面氧化层厚度测量系统

摘要第1-6页
Abstract第6-12页
第1章 引言第12-28页
   ·精确测量N_A 的意义第13-17页
     ·重新定义国际基本单位“千克”第13-16页
     ·重新定义国际基本单位“摩尔”第16页
     ·与其他基本物理常数密切相关第16-17页
     ·推动我国基础计量科学研究的发展第17页
   ·精确测量N_A 的研究进展及现状第17-25页
     ·X 射线晶体密度法第18-22页
     ·限制N_A 测量准确度的关键因素第22页
     ·硅球表面氧化层研究进展及现状第22-25页
   ·课题来源及主要研究内容第25-27页
     ·主要研究内容第25-26页
     ·各章内容简介第26-27页
   ·本章小结第27-28页
第2章 氧化层的生长机理及物理模型第28-36页
   ·单晶硅球加工第28-32页
     ·单晶硅的主要特性参数第28-29页
     ·硅球加工过程第29-30页
     ·抛光对硅球表面状态的影响第30-31页
     ·改进的硅球抛光工艺第31-32页
   ·氧化层形成原因及过程第32-34页
     ·单晶硅硅片表面的自然氧化第33页
     ·单晶硅球表面的自然氧化第33-34页
   ·氧化层的物理模型第34-35页
   ·本章小结第35-36页
第3章 适用于硅球表面测量的光谱椭偏术第36-67页
   ·薄膜厚度测量技术第36-38页
   ·光谱椭偏术第38-47页
     ·光谱椭偏术的基本原理第39-42页
     ·旋转检偏器型光谱椭偏仪原理第42-46页
     ·仪器结构及参数第46-47页
   ·适用于硅球表面测量的改进型光谱椭偏仪第47-56页
     ·平面样品与球面样品的差别第47-48页
     ·偏振混叠效应第48-52页
     ·消除偏振混叠的方法第52-54页
     ·实验结果第54-56页
   ·用XRR 标定光谱椭偏仪第56-65页
     ·研究背景第56-57页
     ·X 射线反射术第57-60页
     ·样品制备及实验仪器第60-61页
     ·实验结果第61-64页
     ·结果比对及标定第64-65页
   ·本章小结第65-67页
第4章 硅球扫描机构第67-85页
   ·功能分析第67-71页
     ·硅球体积算法第67-69页
     ·硅球直径测量系统第69-70页
     ·硅球扫描机构设计要求第70-71页
   ·结构及功能设计第71-80页
     ·夹持式扫描机构第71-76页
     ·升降式扫描机构第76-79页
     ·升降式扫描机构主要技术参数第79-80页
   ·扫描策略及方法第80-83页
     ·等角度采样与等面积采样第81-82页
     ·基于加权平均的等角度采样算法第82-83页
   ·本章小结第83-85页
第5章 硅球表面氧化层自动扫描测量系统第85-94页
   ·系统硬件组成第85-89页
     ·改进型光谱椭偏仪系统第85-87页
     ·扫描机构的位置调整第87-89页
   ·系统控制软件设计第89-92页
   ·系统功能第92-93页
   ·本章小结第93-94页
第6章 实验结果及分析第94-115页
   ·光谱椭偏仪性能测试实验第94-98页
     ·90°入射时的测量实验第94-97页
     ·标准样片的测量实验第97-98页
   ·实验用硅球的参数第98-100页
     ·硅球表面粗糙度对膜厚测量结果的影响第98-99页
     ·硅球主要参数第99-100页
   ·硅球S303 表面氧化层测量第100-106页
     ·实验参数设置第100-101页
     ·氧化层光学模型第101-102页
     ·实验结果及分析第102-106页
   ·硅球S2 表面氧化层初步测量第106-109页
     ·硅球S2 表面氧化层光学模型第107-108页
     ·实验结果及分析第108-109页
   ·测量结果不确定度评估第109-113页
   ·本章小结第113-115页
第7章 结论及展望第115-119页
   ·论文工作总结第115-117页
   ·主要创新点第117页
   ·进一步的工作第117-119页
参考文献第119-126页
致谢第126-127页
附录A 升降式扫描机构工作流程图第127-128页
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果第128-129页

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