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锗有序大孔结构的构筑及其光学特性

摘要第1-6页
Abstract第6-14页
第1章 绪论第14-34页
   ·研究背景及意义第14-15页
   ·三维有序大孔材料的发展概况第15-25页
     ·胶体晶体的研究进展第15-18页
     ·制备方法的研究现状第18-21页
     ·应用领域的概括第21-25页
   ·离子液体中电沉积半导体材料第25-29页
     ·离子液体的概述第25-26页
     ·离子液体的特性第26-27页
     ·硅锗的电沉积第27-29页
   ·光子晶体的基本理论第29-32页
     ·光学性质的理论基础第29-30页
     ·光波的散射原理第30-31页
     ·带隙的计算方法第31-32页
   ·本文的主要研究内容第32-34页
第2章 实验表征方法及其原理第34-44页
   ·样品制备第34-39页
     ·实验材料和设备第34-35页
     ·制备工艺与流程第35-39页
   ·表征方法第39-44页
     ·表面形貌的表征第40-41页
     ·微观结构的表征第41页
     ·光学常数的表征第41-42页
     ·光谱特性的表征第42-43页
     ·发光特性的表征第43-44页
第3章 模板生长及表面微加工第44-56页
   ·胶体晶体模板的生长第44-51页
     ·胶体晶体生长过程的机理分析第44-47页
     ·生长工艺参数第47-51页
   ·基板表面的飞秒激光微加工第51-55页
   ·本章小结第55-56页
第4章 锗膜的制备及微观结构研究第56-94页
   ·锗的基本性质第56-57页
   ·磁控溅射法制备锗膜第57-61页
   ·离子液体中电沉积法制备锗膜第61-64页
     ·咪唑型离子液体的性质第62-64页
     ·制备过程第64页
   ·[HMIm]FAP 中电沉积锗膜第64-72页
     ·金和ITO 基片的循环伏安特性分析第64-66页
     ·锗膜的表面形貌第66-69页
     ·锗膜的微观结构分析第69-72页
   ·Tf2N 中电沉积锗膜第72-85页
     ·扫描速率对电极反应过程的影响第72-75页
     ·沉积电位对表面形貌的影响第75-80页
     ·沉积时间对膜厚的影响第80-82页
     ·锗膜的表面价态分析第82-85页
   ·锗膜的光学常数第85-93页
     ·测试方法第85-86页
     ·有效介质理论第86-88页
     ·数据拟合第88-93页
   ·本章小结第93-94页
第5章 离子液体中电沉积锗有序大孔结构第94-111页
   ·实验装置第94-95页
   ·离子液体与PS 模板的润湿特性第95-98页
     ·[HMIm]FAP 离子液体与PS 模板的润湿性分析第95-97页
     ·Tf2N 离子液体与PS 模板的润湿性分析第97-98页
   ·[HMIm]FAP 中电沉积特性第98-103页
     ·锗二维有序大孔结构的形貌第98-102页
     ·锗三维有序大孔结构的形貌第102-103页
   ·Tf2N 中电沉积特性第103-108页
     ·不同粒径的锗三维有序大孔结构的形貌第103-106页
     ·锗三维有序大孔结构的光谱特性第106-108页
   ·锗光子晶体的光学常数第108-109页
   ·本章小结第109-111页
第6章 锗有序结构的光致发光特性第111-130页
   ·样品制备第111-112页
   ·发光机理第112-114页
   ·结果和讨论第114-129页
     ·光致发光特性第114-123页
     ·激光热效应的影响第123-129页
   ·本章小结第129-130页
结论第130-132页
参考文献第132-141页
攻读博士学位期间发表的论文及其它成果第141-143页
致谢第143-144页
个人简历第144页

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