| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 文献综述 | 第8-20页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·太阳电池原理 | 第9页 |
| ·太阳电池国内外研究现状 | 第9-12页 |
| ·CuInS_2薄膜太阳电池的典型结构 | 第12-13页 |
| ·CuInS_2薄膜材料及其制备方法 | 第13-18页 |
| ·CuInS_2薄膜材料研究历程 | 第13-14页 |
| ·铜铟硫薄膜材料的性质 | 第14-16页 |
| ·CuInS_2薄膜材料的制备方法 | 第16-18页 |
| ·CdS薄膜材料及其制备方法 | 第18-19页 |
| ·选题目的及研究内容 | 第19-20页 |
| 第二章 实验方法与过程 | 第20-27页 |
| ·CuInS_2薄膜材料的反应溅射制备 | 第20-22页 |
| ·实验用品及设备 | 第20-21页 |
| ·实验原理 | 第21页 |
| ·实验过程 | 第21-22页 |
| ·CdS薄膜材料的化学水浴沉积 | 第22-24页 |
| ·实验用品及设备 | 第22页 |
| ·实验原理 | 第22-23页 |
| ·实验过程 | 第23-24页 |
| ·薄膜的性能测试 | 第24-27页 |
| ·薄膜表面形貌及成分分析 | 第24页 |
| ·薄膜物相分析 | 第24-25页 |
| ·光学性能与电学性能 | 第25-27页 |
| 第三章 反应溅射法制备CuInS_2薄膜材料 | 第27-42页 |
| ·溅射功率对薄膜的影响 | 第27-33页 |
| ·溅射功率比对CuInS_2薄膜成分的影响 | 第27-28页 |
| ·溅射功率比对CuInS_2薄膜形貌的影响 | 第28-29页 |
| ·溅射功率比对CulnS_2薄膜物相的影响 | 第29-30页 |
| ·溅射功率比对CulnS_2光学性能的影响 | 第30-32页 |
| ·溅射功率比对CuInS_2电学性能的影响 | 第32-33页 |
| ·衬底温度对薄膜的影响 | 第33-38页 |
| ·衬底温度对CuInS_2薄膜成分的影响 | 第33页 |
| ·衬底温度对CulnS_2薄膜形貌的影响 | 第33-34页 |
| ·衬底温度对CulnS_2薄膜物相的影响 | 第34-36页 |
| ·衬底温度对CuInS_2薄膜光学性能的影响 | 第36-37页 |
| ·衬底温度对CuInS_2薄膜电学性能的影响 | 第37-38页 |
| ·工作气压对薄膜的影响 | 第38-39页 |
| ·工作气压对CuInS_2薄膜物相的影响 | 第38-39页 |
| ·工作气压对CuInS_2薄膜电学性能的影响 | 第39页 |
| ·刻蚀工艺对薄膜的影响 | 第39-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 化学水浴法制备CdS薄膜材料 | 第42-54页 |
| ·沉积温度对CdS薄膜表面形貌、结构和光电性质的影响 | 第42-46页 |
| ·沉积温度对CdS薄膜物相的影响 | 第42-43页 |
| ·沉积温度对CdS薄膜形貌的影响 | 第43页 |
| ·沉积温度对CdS薄膜光学性能的影响 | 第43-45页 |
| ·沉积温度对CdS薄膜电学性能的影响 | 第45-46页 |
| ·Cd盐浓度对CdS薄膜光电性质的影响 | 第46-48页 |
| ·Cd盐浓度对CdS薄膜光学性能的影响 | 第46-48页 |
| ·Cd盐浓度对CdS薄膜电学性能的影响 | 第48页 |
| ·硫脲浓度对CdS薄膜光电性质的影响 | 第48-50页 |
| ·硫脲浓度对CdS薄膜光学性能的影响 | 第48-50页 |
| ·硫脲浓度对CdS薄膜电学性能的影响 | 第50页 |
| ·反应液pH值对CdS薄膜光电性质的影响 | 第50-53页 |
| ·反应液pH值对CdS薄膜光学性能的影响 | 第50-52页 |
| ·反应液pH值对CdS薄膜电学性能的影响 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 结论与展望 | 第54-56页 |
| ·结论 | 第54-55页 |
| ·展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 攻读硕士期间发表的论文及申请专利 | 第61页 |