| 摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-7页 |
| 第1章 绪论 | 第7-17页 |
| ·前言 | 第7-8页 |
| ·引线框架材料的研究现状 | 第8-11页 |
| ·国外引线框架的研究现状 | 第8-9页 |
| ·国内引线框架铜带的生产及研究现状 | 第9-11页 |
| ·高强高导铜合金的发展趋势 | 第11-12页 |
| ·余氏理论 | 第12-16页 |
| ·EET 理论的几个基本假设 | 第12-14页 |
| ·键距差(BLD)法 | 第14-16页 |
| ·课题的来源和研究的目的 | 第16-17页 |
| 第2章 试验材料和研究方法 | 第17-23页 |
| ·实验设计方案 | 第17-18页 |
| ·试样的制备工艺 | 第17页 |
| ·合金成分的设计 | 第17-18页 |
| ·试验方法 | 第18-20页 |
| ·检测的内容与方法 | 第20-23页 |
| ·合金显微硬度的测试 | 第20页 |
| ·合金导电率的测试 | 第20-21页 |
| ·合金抗拉强度的测试 | 第21页 |
| ·组织观察与分析 | 第21-23页 |
| 第3章 CuNiSi 合金的价电子结构分析 | 第23-34页 |
| ·Cu 相空间的价电子结构 | 第23-25页 |
| ·Cu 晶胞实验键距的计算 | 第23-24页 |
| ·Cu 晶胞等同键I_a 的值 | 第24页 |
| ·Cu 晶胞键距方程与r_a ′方程 | 第24页 |
| ·n_A 方程 | 第24-25页 |
| ·理论键距和键距差 | 第25页 |
| ·Cu-Ni 相空间的价电子结构 | 第25-29页 |
| ·Cu-Ni 晶胞实验键距的计算 | 第26页 |
| ·Cu-Ni 晶胞等同键I_a 的值 | 第26页 |
| ·Cu-Ni 晶胞键距方程与r_a′方程 | 第26-27页 |
| ·n A 方程 | 第27页 |
| ·理论键距和键距差 | 第27-29页 |
| ·Cu-Ni-Si 相空间的价电子结构 | 第29-33页 |
| ·Cu-Ni-Si 晶胞实验键距的计算 | 第29-30页 |
| ·Cu-Ni-Si 晶胞等同键I_a 的值 | 第30页 |
| ·Cu-Ni-Si 晶胞键距方程与r_a′方程 | 第30-31页 |
| ·n A 方程 | 第31-32页 |
| ·理论键距和键距差 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第4章 热处理工艺对 Cu-3.5Ni-0.8Si 合金性能的影响 | 第34-44页 |
| ·固溶温度对Cu-3.5Ni-0.8Si 合金性能的影响 | 第34-36页 |
| ·固溶温度对合金显微硬度和导电率的影响 | 第34-35页 |
| ·不同的固溶温度对合金时效性能的影响 | 第35-36页 |
| ·时效温度对Cu-3.5Ni-0.8Si 合金组织性能的影响 | 第36-39页 |
| ·冷变形对Cu-3.5Ni-0.8Si 合金组织性能的影响 | 第39-41页 |
| ·组合时效对Cu-3.5Ni-0.8Si 合金性能的影响 | 第41-42页 |
| ·Cu-3.5Ni-0.8Si 合金微观分析 | 第42-43页 |
| ·Cu-3.5Ni-0.8Si 合金时效行为的电子理论分析 | 第43-44页 |
| 第5章 合金再结晶行为的研究 | 第44-52页 |
| ·Cu-Ni-Si 合金的再结晶行为 | 第44-48页 |
| ·退火温度对Cu-Ni-Si 合金显微硬度的影响 | 第44-46页 |
| ·退火温度对Cu-Ni-Si 合金金相组织的影响 | 第46-47页 |
| ·退火温度对Cu-Ni-Si 合金显微组织的影响 | 第47-48页 |
| ·冷变形量对合金再结晶行为的 | 第48-50页 |
| ·合金元素含量对再结晶行为的影响 | 第50-52页 |
| 第6章 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第58页 |
