致谢 | 第5-7页 |
摘要 | 第7-9页 |
Abstract | 第9-10页 |
第一章 绪论 | 第14-36页 |
1.1 石墨烯概述 | 第15-21页 |
1.1.1 石墨烯的历史 | 第15页 |
1.1.2 石墨烯的结构 | 第15-17页 |
1.1.3 石墨烯的性质 | 第17-19页 |
1.1.4 石墨烯的应用 | 第19页 |
1.1.5 石墨烯的鉴定与表征 | 第19页 |
1.1.6 石墨烯的制备方法 | 第19-20页 |
1.1.7 石墨烯的分散方法 | 第20-21页 |
1.2 石墨烯(氧化石墨烯)的表面修饰 | 第21-28页 |
1.2.1 常见的表面修饰方法及应用 | 第22-24页 |
1.2.2 无机氧化物修饰石墨烯的方法 | 第24-28页 |
1.3 石墨烯在金属防护中的应用 | 第28-31页 |
1.3.1 石墨烯薄膜直接用于金属防护 | 第28-29页 |
1.3.2 石墨烯掺入涂层用于金属防护 | 第29-31页 |
1.3.3 石墨烯用于防腐蚀领域所面临的挑战 | 第31页 |
1.4 “主动防护”涂层 | 第31-33页 |
1.4.1 缓蚀剂简介 | 第32页 |
1.4.2 缓蚀剂的直接掺杂 | 第32-33页 |
1.4.3 纳米存储器及其应用 | 第33页 |
1.5 本论文的研究意义和内容 | 第33-36页 |
第二章 实验部分 | 第36-42页 |
2.1 实验用品 | 第36-37页 |
2.1.1 实验试剂 | 第36页 |
2.1.2 石墨烯类原料 | 第36-37页 |
2.1.3 其他纳米材料 | 第37页 |
2.1.4 实验用防护基体及表面前处理 | 第37页 |
2.2 实验仪器及表征方法 | 第37-42页 |
2.2.1 实验仪器 | 第37-38页 |
2.2.2 表征方法 | 第38-42页 |
第三章 石墨烯表面电沉积二氧化硅薄膜的工艺调控 | 第42-68页 |
3.1 引言 | 第42-43页 |
3.2 实验方法与步骤 | 第43-46页 |
3.2.1 溶液的配置 | 第43页 |
3.2.2 石墨烯表面电沉积二氧化硅 | 第43-45页 |
3.2.3 电沉积法制备二氧化硅 | 第45页 |
3.2.4 氧化石墨烯表面电沉积二氧化硅 | 第45页 |
3.2.5 水热法在氧化石墨烯表面沉积二氧化硅 | 第45页 |
3.2.6 水热法在石墨烯表面沉积二氧化硅 | 第45页 |
3.2.7 表征 | 第45-46页 |
3.3 实验结果与讨论 | 第46-67页 |
3.3.1 Gr@eSiO_2的形貌及结构表征 | 第46-51页 |
3.3.2 电沉积参数、溶液组分、石墨烯氧化度等参数对电沉积结果的影响 | 第51-62页 |
3.3.3 与优化前电辅助沉积技术相比的优势 | 第62-64页 |
3.3.4 与传统水热法沉积二氧化硅相比的优势 | 第64-67页 |
3.4 本章小结 | 第67-68页 |
第四章 石墨烯表面电沉积二氧化硅的机理初探 | 第68-78页 |
4.1 引言 | 第68-69页 |
4.2 实验方法与步骤 | 第69-70页 |
4.2.1 超微电极的制备 | 第69页 |
4.2.2 溶液的配置 | 第69页 |
4.2.3 其他纳米材料表面电沉积二氧化硅 | 第69页 |
4.2.4 水热法在其他纳米材料表面沉积二氧化硅 | 第69页 |
4.2.5 表征 | 第69-70页 |
4.3 探究“直接电沉积”机制的可能性 | 第70-71页 |
4.4 探究“间接电沉积”机制的存在性 | 第71-76页 |
4.5 “直接电沉积”与“间接电沉积”两者的权衡关系 | 第76-77页 |
4.6 总结 | 第77-78页 |
第五章 Gr@eSiO_2纳米存储器在防护涂层中的应用 | 第78-92页 |
5.1 引言 | 第78页 |
5.2 实验方法与步骤 | 第78-80页 |
5.2.1 复合材料的制备 | 第78页 |
5.2.2 缓蚀剂的负载 | 第78-79页 |
5.2.3 缓蚀剂的释放测试 | 第79页 |
5.2.4 金属基体的表面预处理 | 第79页 |
5.2.5 不同掺杂的PVB涂层的制备 | 第79-80页 |
5.2.6 耐腐蚀性能表征 | 第80页 |
5.3 实验结果与讨论 | 第80-91页 |
5.3.1 缓蚀剂的释放行为 | 第80-81页 |
5.3.2 掺杂的不同材料的性质对比 | 第81-82页 |
5.3.3 不同涂层的防腐蚀行为测试 | 第82-91页 |
5.3.4 可能的防腐蚀机理 | 第91页 |
5.4 本章小结 | 第91-92页 |
第六章 总结与展望 | 第92-94页 |
参考文献 | 第94-110页 |
附录 | 第110页 |