内容提要 | 第1-8页 |
第一章 绪论 | 第8-26页 |
·引言 | 第8-9页 |
·热光伏技术简介 | 第9-14页 |
·基本原理、结构及组件 | 第9-11页 |
·应用优势和技术难点 | 第11-12页 |
·应用领域 | 第12-14页 |
·Ⅲ-Ⅴ族锑化物半导体 | 第14-18页 |
·基本性质及应用领域 | 第14-16页 |
·多元锑化物薄膜的结构特性 | 第16-17页 |
·生长技术简介 | 第17-18页 |
·锑化物热光伏电池 | 第18-24页 |
·热光伏电池对材料禁带宽度的选择 | 第18-20页 |
·锑化物在热光伏电池中的应用 | 第20-21页 |
·锑化物热光伏电池的研究概述 | 第21-24页 |
·本论文的主要研究工作 | 第24-26页 |
第二章 锑化物的MOCVD生长技术介绍 | 第26-42页 |
·金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术简介 | 第26-30页 |
·MOCVD外延生长的过程及生长速率的控制机制 | 第26-29页 |
·MOCVD技术的应用优势 | 第29-30页 |
·MOCVD方法生长锑化物 | 第30-40页 |
·MOCVD法生长锑化物的技术难点及解决方法 | 第30-32页 |
·MOCVD法制备锑化物的源材料选择 | 第32-34页 |
·生长锑化物的MOCVD系统 | 第34-40页 |
·本章小结 | 第40-42页 |
第三章 锑化物薄膜的MOCVD生长特性研究 | 第42-64页 |
·InAs_(1-x)Sb_x的MOCVD生长特性研究 | 第42-55页 |
·基本性质 | 第42-44页 |
·应用领域及研究背景 | 第44-45页 |
·InAs_(1-x)Sb_x外延层的制备 | 第45-47页 |
·InAs_(1-x)Sb_x晶体质量的表征及分析 | 第47-51页 |
·InAs_(1-x)Sb_x固相组分的表征及分析 | 第51-55页 |
·Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y的MOCVD生长特性研究 | 第55-62页 |
·Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y外延层的制备及表征 | 第55-57页 |
·MOCVD法外延生长Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y的热力学 | 第57-58页 |
·Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y的表面形貌 | 第58-61页 |
·Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y的电学特性 | 第61-62页 |
·本章小结 | 第62-64页 |
第四章 自组装InAs_(1-x)Sb_x量子点的MOCVD生长特性研究 | 第64-86页 |
·半导体量子点的主要性质 | 第64-66页 |
·InAs_(1-x)Sb_x量子点在低温辐射体热光伏电池领域的应用价值 | 第66-70页 |
·量子点在光伏电池中的应用潜力 | 第66-68页 |
·InAs_(1-x)Sb_x量子点在低温辐射体热光伏电池中的应用潜力 | 第68-69页 |
·量子点热光伏电池对材料性能的基本要求 | 第69-70页 |
·InAs_(1-x)Sb_x量子点的生长及表征 | 第70-74页 |
·半导体量子点的制备技术简介 | 第70-72页 |
·自组装InAs_(1-x)Sb_x量子点的LP-MOCVD制备及表征 | 第72-74页 |
·InAs_(1-x)Sb_x量子点的生长特性研究 | 第74-84页 |
·生长温度的影响 | 第75-78页 |
·生长时间的控制 | 第78-82页 |
·锑化技术的影响 | 第82-83页 |
·生长压强的影响 | 第83-84页 |
·本章小结 | 第84-86页 |
第五章 锑化物热光伏电池的理论模型及材料参数的模拟 | 第86-112页 |
·实际热光伏系统的能量转换效率 | 第87-88页 |
·锑化物热光伏电池的物理模型及性能参数 | 第88-94页 |
·锑化物热光伏电池的物理模型 | 第88-90页 |
·锑化物热光伏电池的基本性能参数 | 第90-94页 |
·Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y四元合金材料参数的模拟 | 第94-111页 |
·基本材料参数 | 第94-97页 |
·本征载流子浓度 | 第97-98页 |
·少数载流子的迁移率 | 第98-100页 |
·少数载流子的复合机制 | 第100-106页 |
·光学吸收系数 | 第106-111页 |
·本章小结 | 第111-112页 |
第六章 Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y热光伏电池的模拟及优化 | 第112-138页 |
·分析思路及模拟方法 | 第112-114页 |
·器件结构及材料参数 | 第114-115页 |
·基本性能参数的模拟及分析 | 第115-129页 |
·内量子效率和短路电流密度 | 第115-122页 |
·少子复合电流密度和开路电压 | 第122-128页 |
·填充因子 | 第128-129页 |
·最大输出电功率密度及能量转换效率 | 第129-134页 |
·材料及器件结构参数的影响 | 第129-132页 |
·温度对器件性能的影响 | 第132-134页 |
·优化的材料及器件结构参数 | 第134-135页 |
·本章小结 | 第135-138页 |
结论及创新点 | 第138-142页 |
参考文献 | 第142-158页 |
攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第158-160页 |
致谢 | 第160-161页 |
中文摘要 | 第161-165页 |
Abstract | 第165-168页 |