MTM型反熔丝存储器的设计与编程方法
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 符号对照表 | 第10-11页 |
| 缩略语对照表 | 第11-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-18页 |
| 1.1 选题意义 | 第14页 |
| 1.2 国内外研究概况 | 第14-16页 |
| 1.3 研究内容及简介 | 第16-18页 |
| 第二章 MTM存储器的设计 | 第18-50页 |
| 2.1 制定整体方案进行的相关研究工作 | 第18-23页 |
| 2.1.1 反熔丝结构研究 | 第18-20页 |
| 2.1.2 MTM反熔丝编程原理及模型研究 | 第20-23页 |
| 2.2 工艺技术 | 第23-31页 |
| 2.2.1 MTM反熔丝工艺技术 | 第23-26页 |
| 2.2.2 MTM反熔丝及阵列的PCM版图设计 | 第26-28页 |
| 2.2.3 MTM反熔丝PCM版总剂量试验 | 第28-30页 |
| 2.2.4 MTM反熔丝经时击穿试验 | 第30页 |
| 2.2.5 反熔丝电阻随读出次数变化 | 第30-31页 |
| 2.3 存储单元架构模式对比 | 第31-35页 |
| 2.4 建立辐射模型 | 第35-38页 |
| 2.5 整体电路的设计 | 第38-44页 |
| 2.5.1 电路逻辑设计 | 第38-40页 |
| 2.5.2 电路的可靠性设计 | 第40-44页 |
| 2.6 专用编程器设计研究 | 第44-50页 |
| 2.6.1 编程器开发 | 第44-47页 |
| 2.6.2 整体电路编程工作 | 第47-50页 |
| 第三章 电路设计的关键技术 | 第50-62页 |
| 3.1 设计的关键技术 | 第50-51页 |
| 3.1.1 抗总剂量加固设计 | 第50页 |
| 3.1.2 抗单粒子加固设计 | 第50-51页 |
| 3.2 高温烘焙对电阻的影响 | 第51-53页 |
| 3.3 电路仿真 | 第53-55页 |
| 3.4 模块电路的测试 | 第55-61页 |
| 3.5 MTM反熔丝制作的关键技术 | 第61-62页 |
| 第四章 开展总剂量和单粒子试验工作 | 第62-76页 |
| 4.1 总剂量辐照试验方案 | 第62-69页 |
| 4.2 单粒子效应试验方案 | 第69-76页 |
| 第五章 结论 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-82页 |
| 致谢 | 第82-84页 |
| 作者简介 | 第84-85页 |
