| 摘要 | 第8-9页 |
| Abstract | 第9-10页 |
| 第1章 绪论 | 第11-22页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 三元层状陶瓷MAX相 | 第11-13页 |
| 1.3 三元层状陶瓷MAX相固溶体 | 第13-14页 |
| 1.4 Ti_2Al(C,N)的研究进展 | 第14-18页 |
| 1.5 MAX相陶瓷的反应机理和晶粒的生长机制研究 | 第18-20页 |
| 1.5.1 MAX相陶瓷的反应机理 | 第18-19页 |
| 1.5.2 MAX相陶瓷晶粒的层状生长机制 | 第19-20页 |
| 1.6 MAX相陶瓷氧化行为研究 | 第20-21页 |
| 1.7 本文的主要研究内容 | 第21-22页 |
| 第2章 材料与实验方法 | 第22-26页 |
| 2.1 实验材料和实验设备 | 第22-23页 |
| 2.1.1 实验材料 | 第22页 |
| 2.1.2 实验设备 | 第22-23页 |
| 2.2 实验流程 | 第23-24页 |
| 2.3 实验方法 | 第24-25页 |
| 2.4 实验表征方法 | 第25-26页 |
| 2.4.1 元素分析 | 第25页 |
| 2.4.2 红外-拉曼光谱分析 | 第25页 |
| 2.4.3 同步热分析仪 | 第25页 |
| 2.4.4 X-射线衍射分析 | 第25页 |
| 2.4.5 扫描电子显微镜观察 | 第25页 |
| 2.4.6 透射电子显微镜观察 | 第25-26页 |
| 第3章 g-C_3N_4原料和Ti_2Al(C,N)固溶体的制备及表征 | 第26-38页 |
| 3.1 引言 | 第26页 |
| 3.2 热聚合法制备g-C_3N_4及其表征 | 第26-29页 |
| 3.2.1 原料及制备方法 | 第26页 |
| 3.2.2 g-C_3N_4的XRD分析 | 第26-27页 |
| 3.2.3 g-C_3N_4的FT-IR分析 | 第27-28页 |
| 3.2.4 g-C_3N_4的元素含量分析 | 第28页 |
| 3.2.5 g-C_3N_4的组织形貌分析 | 第28-29页 |
| 3.3 自蔓延高温合成法制备 Ti_2Al(C,N)及其表征 | 第29-36页 |
| 3.3.1 原料及制备工艺 | 第29页 |
| 3.3.2 原料比例对物相组成的影响 | 第29-32页 |
| 3.3.3 Ti_2Al(C,N)的表面形貌分析 | 第32-34页 |
| 3.3.4 Ti_2Al(C,N)的TEM分析 | 第34-36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-38页 |
| 第4章 Ti_2Al(C,N)的反应机理及层状生长机制研究 | 第38-47页 |
| 4.1 引言 | 第38页 |
| 4.2 自蔓延高温合成 Ti_2Al(C,N)的反应机理 | 第38-41页 |
| 4.3 Ti_2Al(C,N)晶粒的层状生长机制 | 第41-46页 |
| 4.3.1 Ti_2Al(C,N)晶粒的阶梯状生长 | 第41-42页 |
| 4.3.2 Ti_2Al(C,N)晶粒的二维生长机制 | 第42-43页 |
| 4.3.3 Ti_2Al(C,N)晶粒的晶界移动 | 第43页 |
| 4.3.4 Ti_2Al(C,N)晶粒片层的向内扩展 | 第43-44页 |
| 4.3.5 Ti_2Al(C,N)晶粒形成的空腔和小孔 | 第44-45页 |
| 4.3.6 杂质小颗粒对层状生长的阻碍作用 | 第45-46页 |
| 4.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 第5章 Ti_2Al(C,N)粉体的氧化行为研究 | 第47-55页 |
| 5.1 引言 | 第47页 |
| 5.2 Ti_2Al(C,N)粉体的氧化 | 第47-54页 |
| 5.2.1 氧化工艺的设定 | 第47-48页 |
| 5.2.2 氧化产物的物相组成分析 | 第48-50页 |
| 5.2.3 氧化产物的微观形貌分析 | 第50-51页 |
| 5.2.4 Ti_2Al(C,N)粉体的氧化增重分析 | 第51-52页 |
| 5.2.5 Ti_2Al(C,N)粉体的氧化机理分析 | 第52-54页 |
| 5.3 本章小结 | 第54-55页 |
| 结论 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
