| 中文摘要 | 第1-15页 |
| ABSTRACT | 第15-19页 |
| 符号说明 | 第19-20页 |
| 第一章 绪论 | 第20-34页 |
| 参考文献 | 第29-34页 |
| 第二章 光波导基本理论和研究方法 | 第34-60页 |
| ·平面波导的线光学理论 | 第35-39页 |
| ·离子注入技术 | 第39-40页 |
| ·卢瑟福背散射/沟道分析技术 | 第40-45页 |
| ·离子交换技术 | 第45-47页 |
| ·光刻掩膜技术 | 第47-50页 |
| ·光波导耦合方法 | 第50-53页 |
| ·光波导的传输损耗 | 第53-56页 |
| ·折射率分布拟合方法—强度计算方法(ICM) | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 第三章 光子晶体基本理论与结构制备 | 第60-70页 |
| ·光子晶体的电磁场理论 | 第61-66页 |
| ·聚焦离子束刻蚀技术 | 第66-69页 |
| 参考文献 | 第69-70页 |
| 第四章 离子注入和质子交换相结合制备平面和脊型光波导 | 第70-84页 |
| ·O离子注入和质子交换结合制备LiNbO_3单模平面波导 | 第72-78页 |
| ·Ar离子束刻蚀制备LiNbO_3脊型波导 | 第78-82页 |
| 参考文献 | 第82-84页 |
| 第五章 400 keV He离子注入LiNbO_3形成单模波导的研究 | 第84-96页 |
| ·400 keV He离子低温注入LiNbO_3的损伤、折射率和近场光强分布 | 第85-91页 |
| ·400 keV He离子室温注入LiNbO_3晶体形成单模波导的研究 | 第91-95页 |
| 参考文献 | 第95-96页 |
| 第六章 双能量氧离子注入同成分与近化学计量比铌酸锂晶体波导的研究 | 第96-108页 |
| ·双能量氧离子注入同成分铌酸锂晶体单模平面波导的研究 | 第97-103页 |
| ·双能量氧离子注入近化学计量比铌酸锂条形波导的研究 | 第103-107页 |
| 参考文献 | 第107-108页 |
| 第七章 铌酸锂平板光子晶体的理论计算和结构制备 | 第108-126页 |
| ·制备铌酸锂平板光子晶体的意义 | 第109-111页 |
| ·铌酸锂平板光子晶体的计算模拟 | 第111-116页 |
| ·铌酸锂平板光子晶体图形的制备 | 第116-119页 |
| ·制备单晶铌酸锂薄膜光子晶体 | 第119-124页 |
| ·小结 | 第124-125页 |
| 参考文献 | 第125-126页 |
| 第八章 总结 | 第126-131页 |
| ·主要结果 | 第127-130页 |
| ·主要创新点 | 第130-131页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及获得的奖励 | 第131-132页 |
| 致谢 | 第132-134页 |
| 附:外文论文 | 第134-147页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第147页 |
