| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 新型二维材料黑磷 | 第11-13页 |
| 1.2.1 二维黑磷的研究概况 | 第11页 |
| 1.2.2 二维黑磷的几何结构 | 第11-12页 |
| 1.2.3 二维黑磷的电子特性 | 第12-13页 |
| 1.2.4 二维黑磷的各向异性 | 第13页 |
| 1.3 有关黑磷在空气中稳定性的研究进展 | 第13-16页 |
| 1.4 二维黑磷中缺陷相关的物理问题 | 第16-17页 |
| 1.4.1 缺陷在半导体发展中的重要作用 | 第16-17页 |
| 1.4.2 有关二维黑磷中缺陷的研究进展 | 第17页 |
| 1.5 论文组织结构 | 第17-20页 |
| 第二章 通过表面修饰提高黑磷在空气中的稳定性 | 第20-30页 |
| 2.1 黑磷在空气中的退化机理 | 第20-22页 |
| 2.1.1 黑磷烯 | 第20-21页 |
| 2.1.2 黑磷在空气中的退化三部曲 | 第21-22页 |
| 2.2 表面修饰原子在黑磷烯上的吸附 | 第22-24页 |
| 2.2.1 计算模型及吸附能分析 | 第22-23页 |
| 2.2.2 稳定结构 | 第23-24页 |
| 2.3 表面修饰对黑磷导带底(CBM)的影响 | 第24-28页 |
| 2.3.1 表面修饰对单层黑磷导带底(CBM)的影响 | 第24-26页 |
| 2.3.2 表面修饰对双层黑磷导带底(CBM)的影响 | 第26-28页 |
| 2.3.3 表面修饰对三层黑磷导带底(CBM)的影响 | 第28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-30页 |
| 第三章 表面修饰浓度对黑磷在空气中稳定性的影响 | 第30-40页 |
| 3.1 表面修饰原子在单层黑磷上的吸附 | 第30-31页 |
| 3.2 表面修饰浓度对黑磷烯导带底(CBM)的影响 | 第31-39页 |
| 3.2.1 4×4吸附体系的电子特性 | 第31-33页 |
| 3.2.2 3×4吸附体系的电子特性 | 第33-34页 |
| 3.2.3 2×3吸附体系的电子特性 | 第34-37页 |
| 3.2.4 2×2吸附体系的电子特性 | 第37-39页 |
| 3.3 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 二维黑磷带电缺陷的研究 | 第40-54页 |
| 4.1 二维半导体中带电缺陷评估困难 | 第40-41页 |
| 4.2 传统带电缺陷评价方法对二维体系失效原因分析 | 第41-42页 |
| 4.3 二维半导体中带电缺陷评价方法 | 第42-46页 |
| 4.3.1 二维带电缺陷离化能计算方法 | 第42-44页 |
| 4.3.2 二维黑磷中氧替位缺陷 | 第44-46页 |
| 4.4 深/浅杂质能级的初步筛选 | 第46-52页 |
| 4.5 本章小结 | 第52-54页 |
| 第五章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-64页 |
| 作者简介 | 第64页 |
