| 中文摘要 | 第3-4页 |
| 英文摘要 | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 课题背景及研究意义 | 第8-10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-14页 |
| 1.2.1 SiC器件研究现状 | 第10-12页 |
| 1.2.2 桥臂串扰现象抑制方法研究现状 | 第12-13页 |
| 1.2.3 逆变器死区补偿或消除方法研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3 本文研究内容 | 第14-16页 |
| 2 抑制SiCMOSFET桥臂串扰的改进门极驱动设计 | 第16-32页 |
| 2.1 引言 | 第16-17页 |
| 2.2 桥臂串扰产生原理及其典型抑制方法 | 第17-18页 |
| 2.3 改进抑制串扰驱动方法及其工作原理 | 第18-22页 |
| 2.3.1 改进抑制串扰驱动方法 | 第18-19页 |
| 2.3.2 改进抑制串扰驱动电路工作原理 | 第19-22页 |
| 2.4 改进抑制串扰驱动电路参数设计 | 第22-25页 |
| 2.5 改进抑制串扰驱动电路实验验证 | 第25-31页 |
| 2.6 本章小结 | 第31-32页 |
| 3 基于SiCMOSFET逆变器的在线自适应死区消除方法 | 第32-46页 |
| 3.1 引言 | 第32-33页 |
| 3.2 死区效应分析及其传统补偿方法 | 第33-34页 |
| 3.3 死区消除原理 | 第34-36页 |
| 3.3.1 电流非过零区域死区消除原理 | 第34-35页 |
| 3.3.2 电流过零区域死区消除原理 | 第35-36页 |
| 3.4 在线自适应死区消除实现方法 | 第36-39页 |
| 3.5 在线自适应死区消除方法实验验证 | 第39-45页 |
| 3.6 本章小结 | 第45-46页 |
| 4 SiCMOSFET逆变器样机研制及效率对比分析 | 第46-62页 |
| 4.1 引言 | 第46页 |
| 4.2 SiC MOSFET逆变器样机研制 | 第46-51页 |
| 4.2.1 驱动模块设计 | 第47-48页 |
| 4.2.2 采样模块设计 | 第48-49页 |
| 4.2.3 电源模块设计 | 第49-51页 |
| 4.3 逆变器损耗理论对比分析 | 第51-57页 |
| 4.3.1 导通损耗 | 第52-53页 |
| 4.3.2 开关损耗 | 第53页 |
| 4.3.3 不同输出功率下逆变器损耗计算结果 | 第53-55页 |
| 4.3.4 不同开关频率下逆变器损耗计算结果 | 第55-57页 |
| 4.4 逆变器损耗实验对比分析 | 第57-61页 |
| 4.5 本章小结 | 第61-62页 |
| 5 结论与展望 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-72页 |
| 附录 | 第72-73页 |
| A.不同驱动电路实验对比结果 | 第72-73页 |
| B.攻读硕士学位期间的学术成果及承担的科研项目 | 第73页 |
