| 摘要 | 第6-9页 |
| ABSTRACT | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第14-38页 |
| 1.1 引言 | 第14-17页 |
| 1.2 氧化物薄膜晶体管 | 第17-30页 |
| 1.2.1 氧化物TFT的发展历程 | 第17-21页 |
| 1.2.2 氧化物TFT的原理 | 第21-25页 |
| 1.2.3 氧化物TFT的性能参数 | 第25-27页 |
| 1.2.4 氧化物TFT不稳定性机理分析 | 第27-30页 |
| 1.3 碳纳米管场效应晶体管 | 第30-36页 |
| 1.3.1 研究碳纳米管场效应晶体管的必要性 | 第30-31页 |
| 1.3.2 碳纳米管场效应晶体管和逻辑电路的发展历程 | 第31-36页 |
| 1.4 论文的主要研究内容 | 第36-38页 |
| 第二章 阳离子掺杂和新型双层结构的构筑对ZTO-TFT性能的影响 | 第38-73页 |
| 2.1 引言 | 第38-39页 |
| 2.2 阳离子Hf掺杂对ZTO-TFT性能的影响 | 第39-52页 |
| 2.2.1 HZTO薄膜和HZTO-TFT的制备 | 第39-40页 |
| 2.2.2 Hf掺杂对ZTO半导体薄膜的影响 | 第40-44页 |
| 2.2.3 Hf掺杂对ZTO-TFT电学性能及稳定性的影响 | 第44-52页 |
| 2.3 阳离子Si掺杂对ZTO-TFT性能的影响 | 第52-63页 |
| 2.3.1 SiZTO薄膜及SiZTO-TFT的制备 | 第53页 |
| 2.3.2 Si掺杂对ZTO半导体薄膜性能的影响 | 第53-55页 |
| 2.3.3 Si掺杂对ZTO-TFT的影响 | 第55-63页 |
| 2.4 采用新型结构制备高迁移率和高稳定性HZTO/ZTO TFT | 第63-71页 |
| 2.4.1 HZTO/ZTO TFT的制备 | 第63-64页 |
| 2.4.2 HZTO/ZTO TFT的电学性能分析 | 第64-65页 |
| 2.4.3 HZTO/ZTO TFT的光照负偏压稳定性分析 | 第65-67页 |
| 2.4.4 HZTO/ZTO TFT的温度稳定性及态密度分析 | 第67-71页 |
| 2.5 本章小结 | 第71-73页 |
| 第三章 阴离子S掺杂对半导体ZTO薄膜和ZTO-TFT的影响 | 第73-91页 |
| 3.1 引言 | 第73-74页 |
| 3.2 阴离子S掺杂对半导体ZTO薄膜和ZTO-TFT电学性能的影响 | 第74-81页 |
| 3.2.1 ZTOS半导体薄和TFT的制备 | 第74-75页 |
| 3.2.2 S掺杂对ZTO半导体薄膜的影响 | 第75-78页 |
| 3.2.3 S掺杂对ZTO-TFT的影响 | 第78-81页 |
| 3.3 阴离子S掺杂对ZTO-TFT稳定性的影响 | 第81-89页 |
| 3.3.1 S掺杂对ZTO-TFT光照负偏压稳定性的影响 | 第81-85页 |
| 3.3.2 S掺杂对ZTO-TFT偏压稳定性的影响 | 第85-87页 |
| 3.3.3 S掺杂对ZTO-TFT温度稳定性的影响 | 第87-89页 |
| 3.4 本章小结 | 第89-91页 |
| 第四章 基于原子层沉积技术(ALD)制备高κ绝缘层材料及TFT性能研究 | 第91-123页 |
| 4.1 引言 | 第91-94页 |
| 4.1.1 选择高介电常数绝缘层的必要性 | 第91-92页 |
| 4.1.2 高κ绝缘层材料研究现状 | 第92-94页 |
| 4.2 基于高κALD ZrO_2绝缘层制备的ZTO-TFT及其性能表征 | 第94-103页 |
| 4.2.1 器件的制备过程 | 第96-98页 |
| 4.2.2 ALD ZrO_2电学性能、结晶性能和表面形貌分析 | 第98-99页 |
| 4.2.3 ALD ZrO_2-TFT的电学性能分析 | 第99-100页 |
| 4.2.4 ALD ZrO_2-TFT的稳定性分析 | 第100-103页 |
| 4.3 高κALD Zr_xAl_(1-x)O_y绝缘层的制备及其对ZTO-TFT的影响 | 第103-112页 |
| 4.3.1 Zr_xAl_(1-x)O_y绝缘层和ZTO-TFT的制备 | 第103-104页 |
| 4.3.2 ALD Zr_xAl_(1-x)O_y绝缘层的性能分析 | 第104-108页 |
| 4.3.3 基于Zr_xAl_(1-x)O_y绝缘层制备的ZTO-TFT的电学性能分析 | 第108-109页 |
| 4.3.4 基于Zr_xAl_(1-x)O_y绝缘层制备的ZTO-TFT的稳定性分析 | 第109-112页 |
| 4.4 高κALD ZrAlO_x绝缘层厚度对ZTO-TFT性能的影响 | 第112-121页 |
| 4.4.1 ALD ZrAlO_x绝缘层及其ZTO-TFT的制备 | 第112-113页 |
| 4.4.2 ALD ZrAlO_x薄膜的性能表征 | 第113-115页 |
| 4.4.3 ALD ZrAlO_x制备的ZTO-TFT的电学性能表征 | 第115-117页 |
| 4.4.4 ALD ZrAlO_x制备的ZTO-TFT的稳定性分析 | 第117-121页 |
| 4.5 本章小结 | 第121-123页 |
| 第五章 碳纳米管场效应晶体管的制备及其在反相器中的应用 | 第123-144页 |
| 5.1 引言 | 第123-124页 |
| 5.2 基于ALD ZrAlO_x绝缘层制备的高性能SWCNT-FET及其电学性能研究 | 第124-133页 |
| 5.2.1 基于ALD ZrAlO_xSWCNT-FET的制备 | 第124-127页 |
| 5.2.2 ALD ZrAlO_x绝缘层的性能 | 第127页 |
| 5.2.3 SWCNT-FET的性能的表征 | 第127-133页 |
| 5.3 高增益和低功耗SiZTO-SWCNT CMOS反相器的构建 | 第133-143页 |
| 5.3.1 SiZTO-SWCNT CMOS反相器的制备 | 第134-136页 |
| 5.3.2 SiZTO-TFT和SWCNT-FET性能的表征 | 第136-141页 |
| 5.3.3 SiZTO-SWCNT CMOS反相器性能的表征 | 第141-143页 |
| 5.4 本章小结 | 第143-144页 |
| 第六章 结论与展望 | 第144-150页 |
| 6.1 结论 | 第144-148页 |
| 6.2 展望 | 第148-150页 |
| 参考文献 | 第150-159页 |
| 作者在攻读博士学位期间公开发表的论文 | 第159-162页 |
| 作者在攻读博士学位期间所作的项目 | 第162-163页 |
| 致谢 | 第163页 |
