| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 忆阻器的诞生背景和研究意义 | 第8-11页 |
| 1.2 忆阻器的电学特性及其优势 | 第11-12页 |
| 1.3 忆阻器高速测试方面的研究近况及意义 | 第12-14页 |
| 1.4 忆阻器在量子化电导方面的研究近况和应用前景 | 第14-15页 |
| 1.5 本论文的研究目的与各章节内容安排 | 第15-18页 |
| 2 忆阻器单元高速测试方案 | 第18-32页 |
| 2.1 忆阻器高速测量技术特点 | 第18-19页 |
| 2.2 忆阻器单元样品 | 第19-21页 |
| 2.3 高速测试电路板设计 | 第21-28页 |
| 2.4 高速测试平台整体配置 | 第28-29页 |
| 2.5 高速测试平台性能验证 | 第29-31页 |
| 2.6 本章小结 | 第31-32页 |
| 3 忆阻器常规测试和高速测试分析研究 | 第32-41页 |
| 3.1 忆阻器单元常规测试结果与分析 | 第32-37页 |
| 3.2 忆阻器单元高速测试结果与分析 | 第37-39页 |
| 3.3 本章小结 | 第39-41页 |
| 4 忆阻器的高速量子化电导研究 | 第41-48页 |
| 4.1 忆阻器单元量子化电导的常规测试结果与分析 | 第41-42页 |
| 4.2 忆阻器单元量子化电导的高速脉冲测试结果与分析 | 第42-44页 |
| 4.3 忆阻器单元在纳秒级脉冲作用下的导电机理讨论 | 第44-46页 |
| 4.4 本章小结 | 第46-48页 |
| 5 总结与展望 | 第48-50页 |
| 5.1 总结 | 第48-49页 |
| 5.2 展望 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-57页 |
| 附录 攻读硕士学位期间学术成果 | 第57页 |
