| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-25页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 纳米材料简介 | 第11-12页 |
| 1.3 硒化镉纳米半导体材料 | 第12-13页 |
| 1.4 基于贵金属纳米结构的表面等离子体 | 第13-16页 |
| 1.4.1 表面等离子体简介 | 第13-15页 |
| 1.4.2 表面等离子体发展历史和现状 | 第15-16页 |
| 1.5 贵金属纳米结构杂化半导体纳米材料的复合材料 | 第16-23页 |
| 1.5.1 杂化复合材料在光电性能增强上的物理机制 | 第16-21页 |
| 1.5.2 贵金属杂化半导体的复合纳米材料在光探测器件上的应用 | 第21-23页 |
| 1.6 本文研究意义及主要内容 | 第23-25页 |
| 1.6.1 研究的意义 | 第23-24页 |
| 1.6.2 研究的内容 | 第24-25页 |
| 第2章 金纳米粒子的制备以及光学性质研究 | 第25-32页 |
| 2.1 引言 | 第25页 |
| 2.2 金纳米粒子的制备 | 第25-27页 |
| 2.2.1 实验材料及主要仪器 | 第25-26页 |
| 2.2.2 金纳米粒子的制备过程 | 第26-27页 |
| 2.3 金纳米粒子的表征 | 第27-31页 |
| 2.3.1 金纳米粒子的微观形貌表征 | 第27-29页 |
| 2.3.2 金纳米粒子的光学性质研究 | 第29-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第3章 纯净CdSeNB和AuNPs@CdSeNB的制备与表征 | 第32-46页 |
| 3.1 引言 | 第32-33页 |
| 3.2 纯净CdSeNB和AuNPs@CdSeNB的制备 | 第33-35页 |
| 3.2.1 实验材料及主要仪器 | 第33页 |
| 3.2.2 纯净CdSeNB制备过程 | 第33-34页 |
| 3.2.3 AuNPs@CdSeNB的制备过程 | 第34-35页 |
| 3.3 纯净CdSeNB和AuNPs@CdSeNB的表征 | 第35-42页 |
| 3.3.1 纯净CdSeNB和AuNPs@CdSeNB的形貌分析 | 第35-38页 |
| 3.3.2 纯净CdSeNB和AuNPs@CdSeNB微观结构 | 第38-41页 |
| 3.3.3 纯净CdSeNB和AuNPs@CdSeNB的成分分析 | 第41页 |
| 3.3.4 纯净CdSeNB的物相分析 | 第41-42页 |
| 3.4 纯净CdSeNBs和AuNPs@CdSeNBs的光学性能研究 | 第42-45页 |
| 3.4.1 纯净CdSeNBs和AuNPs@CdSeNBs的紫外-可见光吸收光谱 | 第42-44页 |
| 3.4.2 纯净CdSeNB和AuNPs@CdSeNB的光致发光谱 | 第44-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-46页 |
| 第4章 单根纯净CdSeNB和AuNPs@CdSeNB器件的制备及器件探测性能测试 | 第46-62页 |
| 4.1 引言 | 第46页 |
| 4.2 单根纯净CdSeNB和AuNPs@CdSeNB器件的制备 | 第46-49页 |
| 4.2.1 实验材料及主要仪器设备 | 第46-47页 |
| 4.2.2 单根纯净CdSeNB和AuNPs@CdSeNB器件的制备过程 | 第47-48页 |
| 4.2.3 单根纯净CdSeNB和AuNPs@CdSeNB器件测试系统 | 第48-49页 |
| 4.3 单根纯净CdSeNB和AuNPs@CdSeNB器件的探测性能。 | 第49-59页 |
| 4.3.1 单根纯净CdSeNB和AuNPs-100S@CdSeNB器件的I-V曲线 | 第50-51页 |
| 4.3.2 单根纯净CdSeNB和AuNPs-100S@CdSeNB器件的频率响应特性 | 第51-52页 |
| 4.3.3 单根纯净CdSeNB和AuNPs-100S@CdSeNB器件的光响应与功率密度的关系 | 第52-54页 |
| 4.3.4 单根纯净CdSeNB和AuNPs-100s@CdSeNB器件的I-T曲线 | 第54-55页 |
| 4.3.5 单根纯净CdSe NB和AuNPs-100s@CdSe NB器件的时间响应曲线 | 第55-56页 |
| 4.3.6 单根纯净CdSeNB和AuNPs@CdSeNB器件的频率响应 | 第56-57页 |
| 4.3.7 单根纯净CdSeNB和AuNPs@CdSeNB器件的各项重要参数对比 | 第57-59页 |
| 4.4 单根纯净CdSeNB和AuNPs@CdSeNB器件的工作机理分析 | 第59-60页 |
| 4.5 本章小结 | 第60-62页 |
| 第5章 基于DDA理论的电磁场对金纳米粒子消光特性的模拟计算 | 第62-67页 |
| 5.1 引言 | 第62页 |
| 5.2 不同尺寸以及近场耦合的金纳米粒子的消光特性 | 第62-65页 |
| 5.3 本章小结 | 第65-67页 |
| 第6章 总结与展望 | 第67-70页 |
| 6.1 总结 | 第67-68页 |
| 6.2 展望 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-76页 |
| 攻读学位期间发表的论文和科研成果 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
