| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 半导体碳化硅纳米材料的研究背景及应用 | 第9-12页 |
| 1.2 碳化硅纳米管的结构模型 | 第12-13页 |
| 1.3 研究的目的和内容 | 第13-15页 |
| 第2章 理论基础与计算方法简介 | 第15-23页 |
| 2.1 第一性原理计算的理论基础 | 第15-16页 |
| 2.2 哈特里-福克(Hartree-Fock)自洽场计算 | 第16-18页 |
| 2.2.1 波恩-奥本海默近似 | 第16-17页 |
| 2.2.2 哈特里-福克近似 | 第17-18页 |
| 2.3 密度泛函理论(DFT)计算 | 第18-21页 |
| 2.3.1 Hobenberg-Kohn定理 | 第18页 |
| 2.3.2 Kohn-Sham方程 | 第18-20页 |
| 2.3.3 交换关联泛函 | 第20-21页 |
| 2.4 平面波赝势方法 | 第21-22页 |
| 2.4.1 模守恒赝势 | 第21-22页 |
| 2.4.2 超软赝势 | 第22页 |
| 2.5 计算方法简介 | 第22页 |
| 2.6 本章小结 | 第22-23页 |
| 第3章 尺寸对不同手性碳化硅纳米管的影响 | 第23-35页 |
| 3.1 引言 | 第23-24页 |
| 3.2 计算方法和结构模型 | 第24-25页 |
| 3.2.1 计算方法 | 第24页 |
| 3.2.2 结构模型 | 第24-25页 |
| 3.3 结构与讨论 | 第25-34页 |
| 3.3.1 晶格结构 | 第25-27页 |
| 3.3.2 电子性质 | 第27-30页 |
| 3.3.3 光学性质 | 第30-34页 |
| 3.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第4章 第III主族元素掺杂对(6,6)碳化硅纳米管的影响 | 第35-47页 |
| 4.1 引言 | 第35-36页 |
| 4.2 计算方法 | 第36-37页 |
| 4.3 电子性质 | 第37-41页 |
| 4.3.1 晶格结构 | 第37-39页 |
| 4.3.2 能带结构 | 第39-40页 |
| 4.3.3 能态密度 | 第40-41页 |
| 4.4 光学性质 | 第41-46页 |
| 4.4.1 介电函数与折射率 | 第41-44页 |
| 4.4.2 吸收系数与电导率 | 第44-46页 |
| 4.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 结论 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-52页 |
| 攻读硕士学位期间参加的科研任务与主要成果 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 作者简介 | 第54页 |