中文摘要 | 第4-6页 |
abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第11-33页 |
1.1 表面增强拉曼散射(SERS)现象 | 第11-12页 |
1.1.1 拉曼光谱 | 第11页 |
1.1.2 表面增强拉曼散射 | 第11-12页 |
1.2 硅基表面增强拉曼散射传感器的构建及其在分析领域中的应用 | 第12-19页 |
1.2.1 基于三维硅纳米杂化材料的SERS传感器 | 第15-16页 |
1.2.2 基于二维硅纳米杂化材料的SERS传感器 | 第16-19页 |
1.3 内标分子在SERS分析中的应用 | 第19-21页 |
1.4 TNT和汞离子的危害以及现有检测方法 | 第21-23页 |
1.5 本课题的立题依据、意义及研究内容 | 第23-25页 |
1.5.1 立题依据及意义 | 第23-24页 |
1.5.2 研究内容 | 第24-25页 |
参考文献 | 第25-33页 |
第二章 硅基SERS芯片用于实际体系中痕量2,4,6-三硝基甲苯的检测 | 第33-66页 |
2.1 实验所用的材料、药品和仪器 | 第34-35页 |
2.2 实验步骤及实验材料的表征 | 第35-39页 |
2.2.1 银纳米颗粒修饰硅片基底(AgNPs@Si)的制备 | 第35-36页 |
2.2.2 增强因子(EF)的计算公式 | 第36页 |
2.2.3 构建PABT-AgNPs@Si芯片 | 第36页 |
2.2.4 PABT-AgNPs@Si芯片对于TNT标准溶液的SERS检测 | 第36-37页 |
2.2.5 PABT-AgNPs@Si芯片对于TNT类似物的SERS检测 | 第37页 |
2.2.6 PABT-AgNPs@Si芯片检测环境体系中痕量的TNT | 第37-38页 |
2.2.7 实验材料的表征 | 第38-39页 |
2.3 结果与讨论 | 第39-59页 |
2.3.1 AgNPs@Si的表征数据 | 第39-42页 |
2.3.2 传感策略 | 第42-46页 |
2.3.3 FDTD模拟 | 第46-49页 |
2.3.4 PABT-AgNPs@Si芯片对于TNT标准溶液的SERS检测 | 第49-52页 |
2.3.5 PABT-AgNPs@Si芯片对于TNT类似物的SERS检测 | 第52-54页 |
2.3.6 紫外-可见光谱法检测TNT | 第54页 |
2.3.7 比较SERS方法与紫外-可见光谱法检测TNT | 第54-55页 |
2.3.8 PABT-AgNPs@Si芯片检测环境体系中痕量的TNT | 第55-59页 |
2.4 结论 | 第59-60页 |
参考文献 | 第60-66页 |
第三章 核-分子-壳结构SERS芯片的制备及其稳定性探究 | 第66-102页 |
3.1 实验所用的材料、药品、仪器和DNA序列 | 第67-69页 |
3.2 实验步骤 | 第69-73页 |
3.2.1 AgNPs@Si的制备 | 第69页 |
3.2.2 构建CMS@Si芯片 | 第69页 |
3.2.3 CMS@Si的稳定性 | 第69-70页 |
3.2.4 细菌的培养 | 第70页 |
3.2.5 CMS@Si的抗菌性能 | 第70页 |
3.2.6 抗菌效率的计算公式 | 第70-71页 |
3.2.7 CMS@Si的长期稳定性 | 第71页 |
3.2.8 构建基于CMS@Si的汞离子传感器 | 第71页 |
3.2.9 基于CMS@Si的汞离子传感器的特异性检测 | 第71-72页 |
3.2.10 实验材料的表征 | 第72-73页 |
3.3 结果与讨论 | 第73-96页 |
3.3.1 CMS@Si的合成策略 | 第73-74页 |
3.3.2 AgNPs@Si的表征数据 | 第74-75页 |
3.3.3 CMS@Si的表征数据 | 第75-79页 |
3.3.4 FDTD模拟 | 第79-81页 |
3.3.5 CMS@Si的稳定性 | 第81-84页 |
3.3.6 CMS@Si的抗菌活性 | 第84-88页 |
3.3.7 CMS@Si的长期稳定性 | 第88-89页 |
3.3.8 CMS@Si对汞离子的检测 | 第89-94页 |
3.3.9 CMS@Si对汞离子的特异性检测 | 第94-95页 |
3.3.10 比较ICP-MS方法和SERS方法 | 第95-96页 |
3.4 结论 | 第96-97页 |
参考文献 | 第97-102页 |
第四章 总结 | 第102-104页 |
4.1 论文总结 | 第102-103页 |
4.2 研究展望 | 第103-104页 |
攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文 | 第104-105页 |
致谢 | 第105-107页 |