| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 ZnO纳米材料的性质 | 第9-10页 |
| 1.2 ZnO纳米材料的研究 | 第10-14页 |
| 1.2.1 ZnO纳米材料的掺杂 | 第11-12页 |
| 1.2.2 P型ZnO纳米材料 | 第12-13页 |
| 1.2.3 ZnO纳米材料的其他研究 | 第13-14页 |
| 1.3 MgZnO纳米材料的性质 | 第14-15页 |
| 1.4 MgZnO纳米材料的研究 | 第15-18页 |
| 1.4.1 MgZnO纳米材料的制备研究 | 第16-17页 |
| 1.4.2 MgZnO纳米材料的应用研究 | 第17-18页 |
| 1.5 本文研究的目的与主要研究内容 | 第18-20页 |
| 第2章 MgZnO纳米阵列的制备与表征 | 第20-26页 |
| 2.1 电化学沉积法简介 | 第20-22页 |
| 2.1.1 电化学沉积系统 | 第20-21页 |
| 2.1.2 电化学沉积原理 | 第21-22页 |
| 2.2 MgZnO的制备 | 第22-23页 |
| 2.2.1 实验仪器与试剂 | 第22页 |
| 2.2.2 实验步骤 | 第22-23页 |
| 2.3 材料表征方法 | 第23-26页 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜 | 第23-24页 |
| 2.3.2 X射线衍射仪 | 第24页 |
| 2.3.3 吸收谱 | 第24-25页 |
| 2.3.4 光谱响应 | 第25-26页 |
| 第3章 ZnO纳米柱的制备 | 第26-41页 |
| 3.1 ZnO种子层对Zn O形貌的影响 | 第26-30页 |
| 3.1.1 提拉法生长种子层对于ZnO形貌的影响 | 第26-28页 |
| 3.1.2 电化学生长种子层对于ZnO形貌的影响 | 第28-30页 |
| 3.2 不同沉积电位对于ZnO形貌的影响 | 第30-33页 |
| 3.3 ZnO自供能性紫外探测器的制备与性能研究 | 第33-40页 |
| 3.3.1 半导体光电探测器的分类 | 第33-36页 |
| 3.3.2 自供能型紫外探测器的制备 | 第36-38页 |
| 3.3.3 自供能ZnO纳米柱紫外探测器性能研究 | 第38-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 Mg离子对ZnO的影响 | 第41-49页 |
| 4.1 引言 | 第41页 |
| 4.2 MgO纳米材料的制备 | 第41-43页 |
| 4.3 Mg~(2+)对于ZnO形貌的影响 | 第43-48页 |
| 4.3.1 低[Zn~(2+)]时，Mg~(2+)对于ZnO形貌的影响 | 第43-44页 |
| 4.3.2 高[Zn~(2+)]时，[Mg~(2+)]对于ZnO形貌的影响 | 第44-47页 |
| 4.3.3 高[Mg~(2+)]时，加入Zn~(2+)对于材料的影响 | 第47-48页 |
| 4.4 小结 | 第48-49页 |
| 第5章MgZnO纳米材料的制备 | 第49-63页 |
| 5.1 引言 | 第49页 |
| 5.2 不同电解液浓度对MgZnO纳米材料Mg组分的影响 | 第49-57页 |
| 5.2.1 MgZnO纳米材料的制备 | 第49-57页 |
| 5.3 不同沉积电压对MgZnO纳米材料Mg组分的影响 | 第57-59页 |
| 5.4 不同沉积温度对MgZnO纳米材料Mg组分的影响 | 第59-62页 |
| 5.5 本章小结 | 第62-63页 |
| 结论 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
