| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第10-12页 |
| 1.2 SiC薄膜简介 | 第12-16页 |
| 1.2.1 SiC的结构与性质 | 第12-13页 |
| 1.2.2 SiC薄膜的制备 | 第13-16页 |
| 1.3 SiC薄膜的研究现状与不足 | 第16-19页 |
| 1.3.1 SiC薄膜的研究现状 | 第16-18页 |
| 1.3.2 SiC薄膜现有研究的不足 | 第18-19页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第19-20页 |
| 2 SiC薄膜沉积设备设计 | 第20-45页 |
| 2.1 真空系统选型 | 第20-25页 |
| 2.1.1 系统设计要求 | 第21页 |
| 2.1.2 系统选型要求 | 第21-24页 |
| 2.1.3 选型结果 | 第24-25页 |
| 2.2 真空室设计 | 第25-30页 |
| 2.2.1 真空室的设计计算 | 第25-28页 |
| 2.2.2 真空容器筒体的强度和刚度校核 | 第28-29页 |
| 2.2.3 真空室的结构布局 | 第29-30页 |
| 2.3 真空系统设计 | 第30-41页 |
| 2.3.1 设计方法 | 第30-31页 |
| 2.3.2 气体总负荷 | 第31-33页 |
| 2.3.3 粗算主泵的抽速 | 第33页 |
| 2.3.4 流导计算 | 第33-36页 |
| 2.3.5 精算主泵的抽速 | 第36页 |
| 2.3.6 配前级泵 | 第36-37页 |
| 2.3.7 钛泵的抽速计算 | 第37页 |
| 2.3.8 抽气时间 | 第37-40页 |
| 2.3.9 真空设备的总体布局 | 第40-41页 |
| 2.4 射频磁控溅射物理沉积系统 | 第41-44页 |
| 2.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 3 SiC-Al的沉积原理与表征技术 | 第45-60页 |
| 3.1 薄膜的沉积原理 | 第46-54页 |
| 3.1.1 等离子体 | 第46-47页 |
| 3.1.2 离子碰撞 | 第47-48页 |
| 3.1.3 溅射沉积 | 第48-50页 |
| 3.1.4 薄膜的形成与生长 | 第50-54页 |
| 3.2 低摩擦薄膜的实现方法 | 第54-56页 |
| 3.2.1 中间层 | 第54-55页 |
| 3.2.2 掺杂 | 第55-56页 |
| 3.2.3 沉积工艺 | 第56页 |
| 3.3 薄膜的表征技术 | 第56-59页 |
| 3.3.1 薄膜的厚度测量 | 第56-57页 |
| 3.3.2 薄膜的表面形态 | 第57页 |
| 3.3.3 薄膜的粗糙度 | 第57-58页 |
| 3.3.4 薄膜的结合力 | 第58页 |
| 3.3.5 薄膜摩擦学特性 | 第58-59页 |
| 3.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 4 SiC-Al薄膜的制备与结果分析 | 第60-80页 |
| 4.1 实验部分 | 第60-66页 |
| 4.1.1 实验设备及原料 | 第60页 |
| 4.1.2 实验准备 | 第60-62页 |
| 4.1.3 实验过程 | 第62-64页 |
| 4.1.4 停机取样 | 第64页 |
| 4.1.5 评价实验 | 第64-66页 |
| 4.2 结果与讨论 | 第66-79页 |
| 4.2.1 摩擦受力分析 | 第66-69页 |
| 4.2.2 薄膜摩擦特性分析 | 第69-70页 |
| 4.2.3 Al原子含量对薄膜摩擦特性的影响 | 第70-73页 |
| 4.2.4 不同摩擦副材料与SiC-0.97%matAl薄膜的摩擦系数比较 | 第73-75页 |
| 4.2.5 Al中间过渡层对界面强度的影响 | 第75-79页 |
| 4.3 本章小结 | 第79-80页 |
| 5 结论与展望 | 第80-82页 |
| 5.1 主要结论 | 第80-81页 |
| 5.2 创新点 | 第81页 |
| 5.3 展望 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-88页 |
| 个人简历、攻读硕士学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第88-89页 |
| 致谢 | 第89页 |