| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-35页 |
| 1.1 课题来源及研究的背景和意义 | 第11-13页 |
| 1.2 先驱体陶瓷的研究现状 | 第13-26页 |
| 1.2.1 SiOC基先驱体陶瓷设计 | 第14-21页 |
| 1.2.2 先驱体的陶瓷化 | 第21-26页 |
| 1.3 SiOC基陶瓷烧结致密化 | 第26-32页 |
| 1.3.1 SiOC基陶瓷粉体的制备方法 | 第27页 |
| 1.3.2 热压烧结 | 第27-29页 |
| 1.3.3 放电等离子烧结 | 第29-31页 |
| 1.3.4 其他烧结方式 | 第31-32页 |
| 1.4 SiOC基陶瓷力学性能及热物理性能 | 第32-34页 |
| 1.4.1 SiOC基陶瓷力学性能 | 第32页 |
| 1.4.2 SiOC基陶瓷热物理性能 | 第32-34页 |
| 1.5 主要研究内容 | 第34-35页 |
| 第2章 材料制备工艺及表征方法 | 第35-43页 |
| 2.1 材料体系 | 第35页 |
| 2.2 实验过程 | 第35-38页 |
| 2.2.1 SiOC基先驱体陶瓷的制备 | 第35-36页 |
| 2.2.2 裂解SiOC基先驱体凝胶 | 第36-37页 |
| 2.2.3 致密化工艺 | 第37-38页 |
| 2.3 材料性能测试及表征方法 | 第38-43页 |
| 2.3.1 物理性能测试 | 第38-41页 |
| 2.3.2 物相组成及微观组织结构分析 | 第41-43页 |
| 第3章 SiOC基先驱体陶瓷的制备及高温结构演变规律 | 第43-52页 |
| 3.1 引言 | 第43页 |
| 3.2 两种硅烷原料配比制备SiOC基先驱体的陶瓷化及产率分析 | 第43-47页 |
| 3.2.1 不同硅烷配比制备SiOC的陶瓷化过程及产率 | 第43-45页 |
| 3.2.2 不同硅烷配比制备SiBOC的陶瓷化过程及产率 | 第45-47页 |
| 3.3 不同气氛裂解SiOC的陶瓷化过程及产率 | 第47-51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第4章 SiOC基陶瓷致密化工艺及其高温结构演变 | 第52-65页 |
| 4.1 引言 | 第52页 |
| 4.2 致密SiOC基陶瓷的烧结工艺 | 第52-56页 |
| 4.2.1 球磨工艺 | 第52-53页 |
| 4.2.2 热压烧结 | 第53-54页 |
| 4.2.3 无压烧结 | 第54-55页 |
| 4.2.4 放电等离子烧结 | 第55-56页 |
| 4.3 致密SiOC陶瓷材料的物相组成 | 第56-58页 |
| 4.3.1 烧结方式对致密SiOC陶瓷材料物相组成的影响 | 第56-57页 |
| 4.3.2 热压烧结温度对致密SiOC陶瓷材料物相组成的影响 | 第57页 |
| 4.3.3 SPS烧结温度对致密SiOC陶瓷材料物相组成的影响 | 第57-58页 |
| 4.4 致密SiOC陶瓷材料的微观结构 | 第58-61页 |
| 4.4.1 热压烧结SiOC陶瓷材料断口形貌的表征 | 第58-59页 |
| 4.4.2 SPS烧结SiOC陶瓷材料断口形貌的表征 | 第59-61页 |
| 4.5 致密SiBOC陶瓷的物相结构及性能 | 第61-63页 |
| 4.5.1 致密SiBOC陶瓷的物相结构 | 第61-62页 |
| 4.5.2 SPS烧结SiBOC陶瓷材料断口形貌的表征 | 第62-63页 |
| 4.6 本章小结 | 第63-65页 |
| 第5章 致密SiOC基陶瓷的力学及热物理性能 | 第65-75页 |
| 5.1 引言 | 第65页 |
| 5.2 SiOC基陶瓷致密化工艺对力学性能的影响 | 第65-72页 |
| 5.2.1 密度及致密度 | 第65-69页 |
| 5.2.2 弯曲强度 | 第69-71页 |
| 5.2.3 断裂韧性 | 第71-72页 |
| 5.3 致密SiOC基陶瓷的热物理性能 | 第72-74页 |
| 5.3.1 热膨胀系数 | 第72-73页 |
| 5.3.2 热导率 | 第73-74页 |
| 5.4 本章小结 | 第74-75页 |
| 结论 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-84页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第84-86页 |
| 致谢 | 第86页 |
