| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-9页 |
| 符号说明 | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| ·研究背景和意义 | 第10-11页 |
| ·论文的组织结构 | 第11-13页 |
| 参考文献 | 第13-14页 |
| 第二章 Si基BGaNAs四元合金的理论研究 | 第14-34页 |
| ·第一性原理和CASTEP简介 | 第15-18页 |
| ·第一性原理 | 第15-17页 |
| ·CASTEP计算软件包 | 第17-18页 |
| ·二元系Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物的理论计算 | 第18-20页 |
| ·BN、GaN、BAs、GaAs的晶格常数 | 第18页 |
| ·BN、GaN、BAs、GaAs的带隙特性 | 第18-20页 |
| ·三元系Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物的理论计算 | 第20-27页 |
| ·B_xGa_(1-x)N的第一性原理计算 | 第20-25页 |
| ·BN_xAs_(1-x)的第一性原理计算 | 第25-26页 |
| ·B_xGa_(1-x)As和GaAs_(1-x)N_x的第一性原理计算 | 第26-27页 |
| ·四元系Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物B_xGa_(1-x)N_yAs_(1-y)的理论计算 | 第27-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-34页 |
| 第三章 GaAs基BGaInAs/GaAs高应变多量子阱的实验研究 | 第34-57页 |
| ·MOCVD生长和材料特性表征简介 | 第35-41页 |
| ·MOCVD设备原理 | 第35-36页 |
| ·荧光光谱仪(PL谱) | 第36-38页 |
| ·X射线双晶衍射仪(DCXRD) | 第38-41页 |
| ·InGaAs/GaAs高应变多量子阱的生长实验 | 第41-49页 |
| ·InGaAs/GaAs多量子阱的生长方案 | 第41-42页 |
| ·探索InGaAs/GaAs多量子阱最优化生长温度 | 第42-45页 |
| ·探索TMIn源流量对InGaAs阱层中In并入比的影响 | 第45-49页 |
| ·掺B的InGaAs/GaAs高应变多量子阱的生长实验 | 第49-54页 |
| ·确定(B)InGaAs高应变多量子阱的生长方案 | 第49页 |
| ·探讨TEB源对InGaAs多量子阱层中B并入比的影响 | 第49-52页 |
| ·探讨TEB源固定时,TMIn源对多量子阱特性的影响 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第59页 |
