| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 超导电性简介 | 第9-11页 |
| 1.1.1 超导体的基本概念 | 第9-10页 |
| 1.1.2 超导电性的应用 | 第10-11页 |
| 1.2 MgB_2新型超导体 | 第11-16页 |
| 1.2.1 MgB_2的晶体结构 | 第11-12页 |
| 1.2.2 MgB_2的能级结构 | 第12-13页 |
| 1.2.3 MgB_2的同位素效应 | 第13-14页 |
| 1.2.4 MgB_2的临界电流密度J_C | 第14-15页 |
| 1.2.5 MgB_2的上临界磁场H_(C2)(T) | 第15-16页 |
| 1.3 MgB_2的应用优势 | 第16-17页 |
| 1.4 MgB_2超导材料的制备技术 | 第17-19页 |
| 1.4.1 MgB_2线带材的制备 | 第17页 |
| 1.4.2 MgB_2膜的制备 | 第17-19页 |
| 1.4.2.1 MgB_2膜制备中的限制因素 | 第17-19页 |
| 1.4.2.2 MgB_2薄膜的制备技术 | 第19页 |
| 1.5 本章小结 | 第19-20页 |
| 第2章 MgB_2超导膜的性能测试方法 | 第20-23页 |
| 2.1 X射线衍射(XRD) | 第20页 |
| 2.2 表面形貌表征 | 第20-21页 |
| 2.3 磁学和电学性质测量 | 第21页 |
| 2.4 膜厚测量 | 第21-22页 |
| 2.5 本章小结 | 第22-23页 |
| 第3章 HPCVD方法制备MgB_2薄膜 | 第23-36页 |
| 3.1 HPCVD法制备MgB_2薄膜的实验装置 | 第23-25页 |
| 3.1.1 实验原理 | 第23-24页 |
| 3.1.2 实验装置 | 第24-25页 |
| 3.1.3 实验步骤 | 第25页 |
| 3.2 影响MgB_2薄膜的因素 | 第25-27页 |
| 3.3 在SiC衬底上制备MgB2_薄膜 | 第27-34页 |
| 3.3.1 不同温度下制备的MgB_2薄膜 | 第27-29页 |
| 3.3.2 不同压强下制备的MgB_2薄膜 | 第29-32页 |
| 3.3.3 不同B_2H_6流量制备的MgB_2薄膜 | 第32-33页 |
| 3.3.4 不同沉积时间制备的MgB_2薄膜 | 第33-34页 |
| 3.4 在MgO衬底上制备的MgB_2薄膜 | 第34-35页 |
| 3.5 本章小结 | 第35-36页 |
| 第4章 SiC衬底上MgB_2超薄膜的制备和性质研究 | 第36-43页 |
| 4.1 MgB_2超薄膜的研究背景 | 第36页 |
| 4.2 实验介绍 | 第36-37页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第37-42页 |
| 4.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第5章 结论与展望 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-48页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 作者简介 | 第50页 |
