MoO3、SnS二维纳米片材料纳米结构及电—热性能研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第15-39页 |
| 1.1 二维材料 | 第15-20页 |
| 1.1.1 二维材料简介 | 第15-17页 |
| 1.1.2 过渡金属氧化物二维材料 | 第17-18页 |
| 1.1.3 黑磷结构二维材料 | 第18-20页 |
| 1.2 三氧化钼(MoO_3)材料 | 第20-26页 |
| 1.2.1 MoO_3晶体结构 | 第20-22页 |
| 1.2.2 MoO_3材料性能 | 第22-26页 |
| 1.3 硫化亚锡(SnS)材料 | 第26-33页 |
| 1.3.1 SnS晶体结构 | 第26页 |
| 1.3.2 SnS材料性能 | 第26-33页 |
| 1.4 扫描探针显微术 | 第33-37页 |
| 1.4.1 扫描探针显微术简介 | 第33-34页 |
| 1.4.2 扫描探针显微术功能模式及应用 | 第34-37页 |
| 1.5 本论文的研究意义及内容 | 第37-39页 |
| 1.5.1 本论文的研究意义 | 第37-38页 |
| 1.5.2 本论文的研究内容 | 第38-39页 |
| 第二章 二维材料的制备及表征方法 | 第39-45页 |
| 2.1 二维材料的制备 | 第39-40页 |
| 2.1.1 MoO_3二维材料的制备 | 第39页 |
| 2.1.2 SnS二维材料的制备 | 第39-40页 |
| 2.2 样品测试及表征 | 第40-45页 |
| 2.2.1 物相分析 | 第40页 |
| 2.2.2 显微形貌分析 | 第40-41页 |
| 2.2.3 纳米结构及物性表征 | 第41-42页 |
| 2.2.4 显微拉曼分析 | 第42-43页 |
| 2.2.5 能带结构分析 | 第43-45页 |
| 第三章 MoO_3二维纳米片结构及物性研究 | 第45-65页 |
| 3.1 MoO_3纳米片的结构 | 第45-46页 |
| 3.2 MoO_3纳米片的纳米尺度H+插层行为 | 第46-52页 |
| 3.2.1 AFM蚀刻术 | 第46-47页 |
| 3.2.2 针尖偏压诱导的H+插层行为 | 第47-49页 |
| 3.2.3 显微拉曼光谱分析 | 第49-51页 |
| 3.2.4 漫反射光谱表征 | 第51-52页 |
| 3.3 a-MoO_3纳米片微区机电响应 | 第52-55页 |
| 3.3.1 压电响应力显微术 | 第52-53页 |
| 3.3.2 压电响应成像 | 第53-54页 |
| 3.3.3 超高机电特性 | 第54-55页 |
| 3.4 a-MoO_3纳米片微区热学特性 | 第55-61页 |
| 3.4.1 3w-原位热学表征技术 | 第55-59页 |
| 3.4.2 微区热导表征 | 第59-61页 |
| 3.5 a-MoO_3纳米片微区电学特性 | 第61-63页 |
| 3.5.1 微区I-V特性的厚度调控 | 第61-62页 |
| 3.5.2 微区I-V特性的应力调控 | 第62-63页 |
| 3.6 本章小结 | 第63-65页 |
| 第四章 SnS二维纳米片结构及物性研究 | 第65-86页 |
| 4.1 SnS纳米片的结构 | 第65-66页 |
| 4.2 SnS纳米片微区机电特性 | 第66-71页 |
| 4.2.1 纳米压电响应表征 | 第66-67页 |
| 4.2.2 纳米铁电畴结构 | 第67-70页 |
| 4.2.3 纳米压电响应的厚度关系 | 第70-71页 |
| 4.3 SnS纳米片微区电学特性 | 第71-76页 |
| 4.3.1 单一SnS纳米片微区电学表征 | 第71-72页 |
| 4.3.2 SnS/MoO_3异质结微区电学特性 | 第72-76页 |
| 4.4 SnS纳米片微区热电性能 | 第76-82页 |
| 4.4.1 SnS微区热学表征 | 第76-78页 |
| 4.4.2 纳米热电Seebeck系数表征 | 第78-79页 |
| 4.4.3 纳米尺度热应力调控的电学行为 | 第79-82页 |
| 4.5 SnS纳米片微区电学特性的温度演化行为 | 第82-85页 |
| 4.6 本章小结 | 第85-86页 |
| 第五章 结论与展望 | 第86-88页 |
| 5.1 结论 | 第86页 |
| 5.2 展望 | 第86-88页 |
| 参考文献 | 第88-95页 |
| 致谢 | 第95-97页 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第97页 |
