| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 选题背景及研究意义 | 第9-10页 |
| 1.2 关键问题及解决方案 | 第10-15页 |
| 1.2.1 关键问题一及解决方案 | 第10-13页 |
| 1.2.2 关键问题二及解决方案 | 第13-15页 |
| 1.2.3 关键问题三及解决方案 | 第15页 |
| 1.3 本论文主要研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 样品的制备和性能表征 | 第17-22页 |
| 2.1 实验内容 | 第17页 |
| 2.2 表征方法 | 第17-22页 |
| 2.2.1 晶体结构 | 第18-19页 |
| 2.2.2 表面形貌 | 第19页 |
| 2.2.3 元素分析 | 第19-20页 |
| 2.2.4 缺陷分析 | 第20页 |
| 2.2.5 光学性质 | 第20-22页 |
| 第三章 ZnO缓冲层的脉冲激光沉积法生长与结构性能表征 | 第22-48页 |
| 3.1 激光能量对ZnO薄膜结构与性能的影响 | 第22-25页 |
| 3.1.1 晶体结构 | 第22-23页 |
| 3.1.2 表面形貌 | 第23-25页 |
| 3.2 衬底温度对ZnO薄膜结构与性能的影响 | 第25-34页 |
| 3.2.1 晶体结构 | 第26-28页 |
| 3.2.2 表面形貌 | 第28-30页 |
| 3.2.3 缺陷分析 | 第30-31页 |
| 3.2.4 电学特性 | 第31-32页 |
| 3.2.5 光学特性 | 第32-34页 |
| 3.3 激光频率对ZnO薄膜结构与性能的影响 | 第34-37页 |
| 3.3.1 晶体结构 | 第34-35页 |
| 3.3.2 表面形貌 | 第35-37页 |
| 3.4 氧气压强对ZnO薄膜结构与性能的影响 | 第37-47页 |
| 3.4.1 晶体结构 | 第38-39页 |
| 3.4.2 表面形貌 | 第39-41页 |
| 3.4.3 缺陷分析 | 第41-43页 |
| 3.4.4 光学特性 | 第43-47页 |
| 3.5 小结 | 第47-48页 |
| 第四章 GaN薄膜的脉冲激光沉积法低温生长与结构表征 | 第48-59页 |
| 4.1 GaN薄膜的低温生长 | 第48-51页 |
| 4.1.1 GaN薄膜与ZnO缓冲层的比较 | 第48-50页 |
| 4.1.2 GaN薄膜与氮气退火的ZnO缓冲层比较 | 第50-51页 |
| 4.2 退火条件对GaN薄膜结构的影响 | 第51-53页 |
| 4.3 离子活化源辅助生长的作用 | 第53-55页 |
| 4.4 氮气压强对GaN薄膜结构的影响 | 第55-58页 |
| 4.5 小结 | 第58-59页 |
| 第五章 总结与展望 | 第59-61页 |
| 5.1 总结 | 第59-60页 |
| 5.2 下一步工作 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 攻读硕士学位期间已发表和撰写的论文目录 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
