| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 硅基衰减器国内外发展动态 | 第10-12页 |
| 1.3 论文的主要研究工作 | 第12-13页 |
| 1.4 论文的结构安排 | 第13-14页 |
| 第二章 硅基衰减器基础 | 第14-30页 |
| 2.1 衰减器的主要技术指标 | 第14-16页 |
| 2.2 衰减器的基本结构 | 第16-17页 |
| 2.3 开关内嵌式衰减器的工作原理 | 第17-22页 |
| 2.3.1 T型结构衰减器 | 第17-19页 |
| 2.3.2 π型结构衰减器 | 第19-20页 |
| 2.3.3 桥T型结构衰减器 | 第20-22页 |
| 2.4 硅基衰减器的常用技术 | 第22-29页 |
| 2.4.1 降低插入损耗技术 | 第22-24页 |
| 2.4.2 减小附加相移技术 | 第24-26页 |
| 2.4.3 提高线性度技术 | 第26-29页 |
| 2.5 本章总结 | 第29-30页 |
| 第三章 K波段6位数控低相移衰减器 | 第30-45页 |
| 3.1 设计指标 | 第30页 |
| 3.2 硅基衰减器附加移相原理 | 第30-33页 |
| 3.3 尾电容法的提出与原理分析 | 第33-35页 |
| 3.4 尾电容原理分析 | 第35-38页 |
| 3.5 硅基衰减器中的晶体管开关设计 | 第38-40页 |
| 3.6 K波段6位衰减器设计 | 第40-41页 |
| 3.7 衰减器测试 | 第41-43页 |
| 3.8 测试结果分析 | 第43-44页 |
| 3.9 本章总结 | 第44-45页 |
| 第四章 KU波段相控阵芯片中的差分衰减器 | 第45-58页 |
| 4.1 设计指标 | 第45页 |
| 4.2 四通道相控阵射频前端收发芯片 | 第45-46页 |
| 4.3 差分结构的采用及巴伦设计 | 第46-48页 |
| 4.4 低相移差分衰减器设计 | 第48-53页 |
| 4.4.1 1dB、2dB和4dB衰减单元的设计 | 第48-49页 |
| 4.4.2 8dB衰减单元的设计 | 第49-50页 |
| 4.4.3 四位衰减器模块的设计 | 第50-53页 |
| 4.5 四位差分衰减器的版图设计 | 第53-54页 |
| 4.6 四位差分衰减器的测试 | 第54-55页 |
| 4.7 测试结果分析 | 第55-57页 |
| 4.8 本章总结 | 第57-58页 |
| 第五章 5G通信芯片中的差分衰减设计 | 第58-69页 |
| 5.1 设计指标 | 第58页 |
| 5.2 5G通信收发芯片介绍 | 第58-59页 |
| 5.3 五位低相移差分衰减器设计 | 第59-64页 |
| 5.3.1 1dB、2dB和4dB的衰减单元的设计 | 第59-61页 |
| 5.3.2 8dB和16dB的衰减单元的设计 | 第61-62页 |
| 5.3.3 衰减器系统的设计及版图规划 | 第62-63页 |
| 5.3.4 衰减器系统的后仿 | 第63-64页 |
| 5.4 包含5位衰减器的可变增益低噪放 | 第64-65页 |
| 5.5 可变增益低噪放的测试 | 第65-66页 |
| 5.6 测试结果分析与对比 | 第66-68页 |
| 5.7 本章总结 | 第68-69页 |
| 第六章 总结与展望 | 第69-71页 |
| 6.1 全文总结 | 第69页 |
| 6.2 后续展望 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第76页 |