摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第10-21页 |
1.1 半导体激光器的发展 | 第10-12页 |
1.2 光注入半导体激光器的发展现状 | 第12-15页 |
1.3 光注入半导体激光器非线性状态的应用 | 第15-19页 |
1.3.1 单周期振荡态的应用 | 第15-17页 |
1.3.2 倍周期振荡态的应用 | 第17-18页 |
1.3.3 混沌态的应用研究 | 第18-19页 |
1.4 本论文的研究内容 | 第19-21页 |
第二章 光注入半导体激光器的理论分析 | 第21-31页 |
2.1 外腔式注入锁定 | 第21-22页 |
2.2 主从式注入锁定 | 第22-24页 |
2.3 激光器的锁定范围 | 第24-26页 |
2.4 数值仿真 | 第26-27页 |
2.5 半导体激光器的频率响应 | 第27-30页 |
2.6 本章小结 | 第30-31页 |
第三章 光注入法布里-珀罗半导体激光器的实验研究 | 第31-50页 |
3.1 光注入Fabry-Perot激光器锁定态研究 | 第31-40页 |
3.1.1 实验方案 | 第31-32页 |
3.1.2 实验选用激光器 | 第32-33页 |
3.1.3 实验结果分析 | 第33-38页 |
3.1.4 测量半导体激光器的线宽增强因子 | 第38-40页 |
3.2 光注入下激光器的非线性现象 | 第40-48页 |
3.2.1 未锁定态 | 第40页 |
3.2.2 单周期振荡态 | 第40-42页 |
3.2.3 倍周期振荡态 | 第42-44页 |
3.2.4 锁定态 | 第44-45页 |
3.2.5 四波混频 | 第45-46页 |
3.2.6 混沌态 | 第46-47页 |
3.2.7 光注入F-P半导体激光器非线性状态分布图 | 第47-48页 |
3.3 本章小结 | 第48-50页 |
第四章 光注入锁定改善F-P半导体激光器的频率响应特性 | 第50-58页 |
4.1 实验原理图 | 第50-52页 |
4.2 偏置电流对频率响应的影响 | 第52-53页 |
4.3 注入锁定对F-P半导体激光器频率响应的改善 | 第53-54页 |
4.4 注入功率对频率响应的影响 | 第54-55页 |
4.5 频率失谐对频率响应的影响 | 第55-57页 |
4.6 本章小结 | 第57-58页 |
第五章 总结和展望 | 第58-60页 |
5.1 论文总结 | 第58-59页 |
5.2 下一步工作展望 | 第59-60页 |
致谢 | 第60-61页 |
参考文献 | 第61-66页 |
攻硕期间取得的研究成果 | 第66-67页 |