| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 引言 | 第8-18页 |
| 1.1 气敏传感器的研究现状 | 第8-10页 |
| 1.2 金属氧化物半导体材料气敏机理 | 第10-12页 |
| 1.3 氧化钨气敏传感器研究进展 | 第12-16页 |
| 1.4 本课题主要研究内容和意义 | 第16-18页 |
| 第二章 实验部分 | 第18-26页 |
| 2.1 基片清洗与叉指电极制备 | 第18-19页 |
| 2.2 诱导层的制备 | 第19-20页 |
| 2.2.1 W溅射制备诱导层 | 第19页 |
| 2.2.2 以Na_2WO_4·2H_2O为W源制备诱导层 | 第19-20页 |
| 2.2.3 以WCl_6为W源制备诱导层 | 第20页 |
| 2.3 氧化钨纳米阵列结构的制备 | 第20-22页 |
| 2.4 实验原料与实验仪器 | 第22-23页 |
| 2.5 纳米材料性能表征 | 第23-24页 |
| 2.5.1 SEM和EDS | 第23页 |
| 2.5.2 XRD和TEM | 第23-24页 |
| 2.6 气敏性能的测试 | 第24-26页 |
| 第三章 纳米多级结构的水热合成与气敏性能研究 | 第26-48页 |
| 3.1 诱导层的制备 | 第26-29页 |
| 3.1.1 W溅射制备诱导层 | 第26-27页 |
| 3.1.2 以Na_2WO_4·2H_2O为W源制备诱导层 | 第27-29页 |
| 3.1.3 以WCl_6为W源制备诱导层 | 第29页 |
| 3.2 不同水热条件下所得纳米结构的形貌特性 | 第29-36页 |
| 3.2.1 诱导层对纳米结构的影响 | 第29-32页 |
| 3.2.2 水热反应条件对纳米结构的影响 | 第32-36页 |
| 3.3 样品微晶相结构表征 | 第36-39页 |
| 3.3.1 EDS分析 | 第36-37页 |
| 3.3.2 XRD分析 | 第37-39页 |
| 3.3.3 TEM分析 | 第39页 |
| 3.4 气敏性能研究与分析 | 第39-46页 |
| 3.4.1 氧化钨气敏传感器的工作温度特性 | 第40-41页 |
| 3.4.2 氧化钨气敏传感器的工作灵敏度特性 | 第41-42页 |
| 3.4.3 氧化钨气敏传感器的快速响应特性 | 第42-44页 |
| 3.4.4 氧化钨气敏传感器的气体选择性 | 第44-45页 |
| 3.4.5 氧化钨气敏传感器的气敏机理解释 | 第45-46页 |
| 3.5 本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 掺杂氧化钨纳米多级结构的研究 | 第48-55页 |
| 4.1 铜掺杂氧化钨纳米多级结构的形貌研究 | 第48-50页 |
| 4.2 掺杂氧化钨纳米多级结构的气敏性能研究 | 第50-53页 |
| 4.3 本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 总结与展望 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |