质子、电子及其综合辐照作用下单晶硅太阳电池损伤效应
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-25页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第9-10页 |
| 1.2 空间辐射环境及硅基半导体辐射损伤机理 | 第10-14页 |
| 1.2.1 空间带电粒子环境 | 第11页 |
| 1.2.2 硅基半导体辐射损伤机理 | 第11-14页 |
| 1.3 太阳电池基本原理及其表征方法 | 第14-18页 |
| 1.3.1 太阳电池的基本原理 | 第14-15页 |
| 1.3.2 硅太阳电池的性能表征 | 第15-18页 |
| 1.4 硅太阳电池带电粒子辐照损伤 | 第18-20页 |
| 1.4.1 硅太阳电池质子辐照损伤 | 第18-19页 |
| 1.4.2 硅太阳电池电子辐照损伤 | 第19-20页 |
| 1.5 硅电池辐照损伤的检测方法 | 第20-24页 |
| 1.5.1 电子顺磁共振（EPR） | 第20-21页 |
| 1.5.2 深能级瞬态谱（DLTS） | 第21-22页 |
| 1.5.3 电致发光（EL） | 第22页 |
| 1.5.4 傅立叶红外光谱 | 第22-23页 |
| 1.5.5 扫描电子显微镜 | 第23-24页 |
| 1.6 本文的主要研究内容 | 第24-25页 |
| 第2章 试验材料、设备及方法 | 第25-30页 |
| 2.1 试验所用太阳电池 | 第25-26页 |
| 2.2 试验所用设备及其原理 | 第26-29页 |
| 2.2.1 空间综合辐照环境模拟器 | 第26-27页 |
| 2.2.2 太阳电池 I-V 特性测试 | 第27页 |
| 2.2.3 太阳电池量子效率曲线 | 第27页 |
| 2.2.4 载流子参数测定 | 第27-28页 |
| 2.2.5 倒易空间图像（RSM） | 第28页 |
| 2.2.6 数值仿真模拟 | 第28-29页 |
| 2.3 实验方案 | 第29-30页 |
| 第3章 低能质子辐照前后太阳电池性能与分析 | 第30-44页 |
| 3.1 质子辐照 I-V 性能分析 | 第30-34页 |
| 3.2 损伤机理分析 | 第34-43页 |
| 3.2.1 低能质子辐照量子效率曲线分析 | 第34-38页 |
| 3.2.2 太阳电池少数载流子参数分析 | 第38-40页 |
| 3.2.3 二维倒易空间图分析 | 第40-41页 |
| 3.2.4 数值模拟分析 | 第41-43页 |
| 3.3 本章小结 | 第43-44页 |
| 第4章 电子辐照前后太阳电池性能与分析 | 第44-59页 |
| 4.1 电子辐照 I-V 性能分析 | 第44-49页 |
| 4.2 损伤机理分析 | 第49-57页 |
| 4.2.1 电子辐照量子效率曲线分析 | 第49-51页 |
| 4.2.2 太阳电池载流子参数分析 | 第51-54页 |
| 4.2.3 二维倒易空间图分析 | 第54-56页 |
| 4.2.4 数值模拟分析 | 第56-57页 |
| 4.3 本章小结 | 第57-59页 |
| 第5章 质子、电子综合辐照太阳电池性能与分析 | 第59-65页 |
| 5.1 综合辐照 I-V 性能分析 | 第59-60页 |
| 5.2 机理分析 | 第60-64页 |
| 5.2.1 综合辐照电池量子效率曲线 | 第60-61页 |
| 5.2.2 太阳电池载流子参数分析 | 第61-63页 |
| 5.2.3 二维倒易空间图分析 | 第63-64页 |
| 5.3 本章小结 | 第64-65页 |
| 结论 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
